各类型先进封装主要包含bumping、RDL、TSV及键合等互连工艺
2024-07-11 08:16:15
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图34、RDL技术的工艺流程(以电镀法为例)
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图18、全球TSV产能(万片/月)
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RDL层和C4/底部填充(UF)层提供缓冲
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TSV正面及背面工艺:TSV刻蚀、填充及CMP
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化学机械平坦化抛光(CMP)去除多余铜并露出TSV铜柱顶面
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TSV在2.5D封装与3D封装中的应用
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行业数据1
TSV技术与传统线键合(WireBonding)技术对比
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先进封装Bumping工序流程示例Bumping凸块替代传统封装中的金线键合,以微小的焊球或凸块实现芯片与封装载板的互联
2024-12-20 13:31:16
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图表24TGV与TSV的特性比较
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2025年DRAM总产能微幅增长、TSV占比升高
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晶圆凸块(Bumping)镀铜工艺拉动电镀液需求
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图9 “最坏情况”贸易战对价格的影响,2025 到 2030 年
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图7 受到美国互惠关税影响最大的五种农业食品产品
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先进封装主要技术平台包括:倒装(FC)、晶圆级封装(WLP)、2.5D、3D封装等。支持这些平台技术的主要互连工艺包括凸块(Bumping)、重布线(RDL)、硅通孔(TSV)、混合键合等,互连工艺升级是先进封装的关键。
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