化学机械平坦化抛光(CMP)去除多余铜并露出TSV铜柱顶面
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(dishing)程度：既要充分去除过量铜，又避免过度抛光造成凹陷或破坏周围介质层。典型流程是在铜上方有一层阻挡金属(如TaN)，CMP以高选择性停止在阻挡层上，然后再轻微抛光露出铜。关键设备包括CMP抛光机和在线测厚/终点检测系统。
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