TGV 结合多种工艺流程实现 3D 互联。TGV 工艺包括种子层溅射、电镀填充、化学机械平坦化(CMP)、重新分布层(RDL)布线以及凸点(bump)工艺引出等。TGV 通常采用直径在 10μm 至 100μm 之间的微型通孔。对于先进封装应用,每片晶圆上通常需要数万个 TGV 通孔,并对其进行金属化处理,以确保所需的导电性能。与传统的 TSV 工艺相比,TGV 具有多项优势,主要包括:出色的高频电学特性、可获取的大尺寸超薄玻璃衬底、优异的机械稳定性等。特别是在高频应用场景中,TGV 表现出比硅更低的损耗,能够有效提高信号传输质量。然而,TGV 技术也面临一些挑战。最主要的问题是玻璃材料缺乏类似于硅的深刻蚀工艺,这使得在玻璃基板上快速制作高深宽比的通孔变得较为困难,这在一定程度上限制了其在某些高密度封装应用中的广泛使用。