晶圆凸块（Bumping）镀铜工艺拉动电镀液需求
2024-07-11 08:16:15
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先进封装Bumping工序流程示例Bumping凸块替代传统封装中的金线键合，以微小的焊球或凸块实现芯片与封装载板的互联
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凸块（bumping）工艺流程主要分为8个步骤
2024-07-11 08:16:15
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各类型先进封装主要包含bumping、RDL、TSV及键合等互连工艺
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其它1
晶圆到晶圆(W2W)或芯片到晶圆(D2W)，均通过删除凸点方式减薄厚度。其中W2W
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凸点分类工艺特征尺寸较小，相对晶圆制造来说较
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图36、封装中的电镀（以Bumping工艺为例）
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高端先进封装方案中多处涉及到Bumping工艺
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先进封装方面，凸块电镀、再分布线、硅通孔（TSV）电镀等是超越摩尔定律的关键。为了进一步提高集成电路性能，需要缩短晶圆间、晶圆与印刷电路板间连线距离，因此超越摩尔技术变得越来越重要，三维硅通孔、重布线、凸块工艺等先进封装工艺也因此开始大规模使用。而这三种封装工艺都需要进行金属化薄膜沉积，这将显著拉动相关电镀液的需求，如铜、镍、锡、银、金电镀液等。
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