图20.先进封装Bumping工艺中使用PSPI和厚膜光刻胶

先进封装 g/i 线光刻胶、PSPI 光刻胶用于 Bumping、RDL、TSV 等先进封装工艺环节。与 IC制造时使用的 g/i 线光刻胶相比,大多数封装技术中所用到的光刻胶层要厚很多，一方面是由于先进封装对精度要求相对晶圆制造环节低，另一方面是由于凸块需要厚涂。根据中国电子材料行业协会的数据，2022 年中国集成电路 g/i 线光刻胶市场规模总计 9.14 亿元，预计2025 年将增长至 10.09 亿元；其中集成电路封装用 g/i 线光刻胶市场规模 5.47 亿元，预计2025 年将增长至 5.95 亿元。先进封装 g/i 线正性光刻胶可用于先进封装 Bumping 工艺中图形转移、线路重排（RDL）、TSV 技术；先进封装 g/i 线负性光刻胶用于先进封装 Bumping 工艺中。凸块制作封装光刻胶 PSPI 是一种光敏性聚酰亚胺材料，兼具光刻胶的图案化和树脂薄膜的应力缓冲、介电层等功能，类似于有图案的介电薄膜，可用于 Bumping和 RDL等先进封装工艺流程中。根据中国电子材料行业协会数据，2021 年中国集成电路晶圆制造用 PSPI 市场规模 7.12亿元，预计到 2025年将增长至 9.67 亿元。