碳化硅产业链可以分为三个环节，分别为衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造
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2）SiC MOSFET：基于新一代碳化硅材料的金属-氧化物场效应晶体管。相比传统硅器件，具有导通和开关损耗低，开关速度快，工作频率高，耐高温和散热效率高等优点，显著提升系统效率，降低系统体积和重量。目前主要应用于电源、新能源汽车、电机驱动、光伏和储能等领域。随着双碳经济、新基建等国家战略的实施，一些产品将从硅基变成SiC，SiC 的使用量将进一步提升。
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