模块厂商主导光互联方案。EML、硅光调制器主导波特率由50G迈向100G,200G+则转向超高带宽和极低功耗的薄膜铌酸锂和其他异质集成材料,以解决材料物理特性下带宽与功耗瓶颈问题,边际提升难度越来越大。◼ 电侧:3.2T(单波400G)对电芯片信号纠错、修复能力要求大幅提升,未来6.4T(单波800G)或需依赖调制格式进步,均将大幅提升电侧芯片重要性。中远期来看,利用更高阶的调制来增加“信息容量”是可选进步方式之一。高阶调制中PAM6/8的信噪比、功耗难题难以解决而停留在实验室阶段,而原本用于长距传输的相干光技术(16QAM Coherent Lite)或向数据中心内部下沉,将为相干DSP等电芯片带来机会。