第三代半导体击穿电压更高、电阻率更低
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3）更低的能耗和更小的尺寸。SiC 材料击穿电场强，可以更高的杂质浓度和更薄的漂移层，制作导通电阻非常低的耐高压大功率器件。根据Rohm 测算，理论上相同规格 SiC-MOSFET 导通电阻可降为硅基MOSFET 的 1/200，尺寸降低为 1/10；使用 SiC-MOSFET 的逆变器的系统能耗，小于使用同规格 Si-IGBT 逆变器能耗的 1/4。
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