颗粒硅+CCZ工艺或将有效提升生产效率
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颗粒硅+CCZ工艺或将有效提升拉晶产能。从使用端来看，颗粒硅形似球状，2mm 左右粒径的颗粒，具有良好的流动性、填充性，可以直接拉晶使用，能填补硅块空隙， 提高坩埚装填量，从而提高拉晶产出。同时，颗粒硅大小形状比较均匀，熔化时对拉晶炉热场扰动小，具有单次投料量多，熔化效率高，免破碎等多重优势，是未来大规模应用CCZ技术（即连续直拉单晶硅技术）的必要条件，相较于目前传统的 RCZ 单晶复投法，其拉晶效率更高。CCZ 的工艺特点是可以在单晶炉内实现进料－熔料－拉棒同步进行，从而节省晶棒冷却及加料环节的时间。根据协鑫科技 2022 年年报的数据，公司 CCZ 单台拉晶炉单产可达到 185 千克/天，已实现 200 兆瓦的中试产能。未来随着 N 型单晶和大直径单晶的规模化推广， CCZ 的技术优势或将会更加凸显，颗粒硅应用场景将得到进一步优化。
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