RCZ与CCZ拉晶头尾部电阻与少子对比
2024-08-14 08:15:03
382
相关数据
其它1
对比多个标准疗法，多纳非尼单药与索拉非尼头对头试验疗效与安全性优势显著
2024-07-03 08:17:20
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其它1
多次投料复拉法（RCZ）示意
2024-05-13 08:15:12
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产业概述1
协鑫CCZ发展历程
2024-04-15 08:15:44
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其它1
2024年光伏硅片拉晶环节的干式真空泵市场空间测算
2024-01-29 08:15:44
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产业链1
拉晶环节产业链示意图
2023-08-29 08:15:37
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行业数据1
颗粒硅+CCZ工艺或将有效提升生产效率
2023-07-05 08:15:59
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行业数据1
CCZ电阻率更集中分布
2023-07-03 08:15:22
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行业数据1
图表17公司积极扩张拉晶硅片产能
2023-06-05 08:10:25
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行业数据1
图表31公司8英寸碳化硅衬底晶型拉曼图谱检测
2023-05-23 08:15:04
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行业数据1
欧晶科技光伏坩埚：2018-2021年销售及拉晶小时情况
2023-05-22 08:15:16
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行业数据1
公司拉晶及切片产能情况
2023-05-08 08:15:18
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行业数据1
公司历年拉晶产能数据单位：GW
2023-04-25 08:20:28
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行业数据1
至2024年公司有望建成100GW拉晶产能（GW）
2023-04-12 08:11:05
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行业数据1
LED双头固晶机自产率（单位：%）
2023-03-15 08:09:49
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最新数据
行业数据1
全球全年龄段奶粉市场规模（亿美元）
2026-07-30 13:41:18
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行业数据1
全球酸奶及发酵乳制品市场规模（亿美元）
2026-07-30 08:15:57
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行业数据1
全球药用级益生菌市场规模（百万美元）
2026-07-30 08:15:57
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行业数据1
全球益生菌膳食补充剂市场规模及增速
2026-07-30 08:15:57
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行业数据1
全球拥有AKK专利菌株的核心企业
2026-07-30 08:15:57
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CCz 连续拉晶降本提效，使得单晶硅棒电阻率均匀分布。（1）单晶硅拉制与加料同时进行，省去化料与晶棒冷却时间，理论上单产可以提升 15%-20%；（2）坩埚内硅熔体体积恒定且较小，晶体生长具备稳定的热场环境，利于大尺寸高品质单晶硅制备；（3）传统 RCZ 拉晶液面高度变动，拉制环境中热动力环境不稳定，金属分凝原理引起金属杂质容易在硅棒头尾富集，进而造成硅棒头尾电阻率不均衡，而 Ccz 拉晶维持硅溶液液面恒定不变，进而使得头尾电阻率均衡。
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