SoW-X与8单元5.5倍光罩尺寸CoWoS-L集群的关键性能指标对比
2025-08-12 13:48:48
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台积电的CoWoS-S（硅中介层）封装架构
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CoWoS及配套测试在主流高算力芯片制造环节占比（美元/颗）
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表2、主流国际与国算力芯片关键性能指标对比
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行业数据1
全球CoWoS先进封装扩产几乎全部由台积电完
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全球CoWoS先进封装扩产几乎全部由台积电完成
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B200/B300等算力芯片将采用CoWoS-L封装
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图5-2混动电池关键性能指标发展历程
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具体来看，SoW-X 与使用 PCIe 作为内部单元通信互联解决方案的 8 个 CoWoS-L 方案和单个5.5 光罩尺寸的 CoWoS-L 相比，两者计算性能均提升 8 倍，但同时 SoW-X 拥有更高的集成度（48.3X vs 44X）；存储方面，由于 SoW-X 需要预留螺丝孔，每个 ASIC 均需减少 1 个 HBM堆栈导致每个计算单元所分配到的内存带宽相较于集群降低了 17%，但与此同时平均延迟相较于集群有明显的提升，从最终结果来看，SoW-X 经过延迟调整后的表现相较于集群表现更优（6X vs 4.32X）。功耗方面，单个 SoW-X 的总功耗约为 17104 W，相较于集群功耗降低超3000W，主要差别来自集群还需额外承担单元间 PCIe 互联链路的能耗负担。综合来看，SoW-X 无论是在经过延迟调整的性能及计算能效比（0.73X vs 0.44X）上均要优于集群，进一步凸显 SoW-X 在需要进行大规模集群拓展的 HPC/AI 时代的重要性。
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