图38碳化硅功率器件市场规模
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市场进入高增长周期，应用于氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）器件生产的外延设备也处于快速发展阶段。氮化镓功率器件主要面向高频中小电压应用场景，根据Yole 预测，其市场规模将从 2023 年的 2.6 亿美元增至 2029 年的 20.1 亿美元，复合年增长率达 41%。基于硅衬底的氮化镓（GaN-on-Si）是当前功率器件的主流技术，但其异质外延会引入显著的晶格与热失配应力。为此，MOCVD 设备必须实现更精细的迭代优化，核心在于对反应腔内的温度场、气流场进行精准控制，并辅以多方位原位监测。此外，碳化硅功率器件在中高压领域，如新能源汽车、风能光伏储能、轨道交通等领域；尤其是在车用领域，预计未来几年在车载主逆变器、充电模块等应用将持续高速增长。根据 Yole 预测，该市场规模将在 2029 年达到 104 亿美元，2023-2029 年复合年均增长率超过 25%。因此，氮化镓以及碳化硅功率器件外延设备也将具有显著的市场发展空间。行业现有生产设备主要适用于 6 英寸碳化硅衬底；随着 8 英寸衬底成本的持续下降，未来将逐渐过渡至 8 英寸的外延生产。
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