TOPCon主要工艺技术路线
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总体来看，目前 TOPCon电池工艺还是以 LPCVD本征+扩磷法制备为主流，该方法成熟度最高，但绕镀问题较严重；LPCVD+离子注入工艺路线目前占地面积较大，几乎没有绕镀问题但是设备成本昂贵，正逐渐被边缘化；PECVD原位掺杂法原则上没有绕镀问题，与 PERC产线不兼容，更适合新的产线，后续有望通过工艺的成熟改善镀膜稳定性，成为主流技术。
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