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基于铌酸锂(LiNbO3)的调制器可以提供更低的光损耗和更高的最大调制频率,薄膜方案解决传统形式体积过大的问题。基于硅基的调制器速率约为 60-90Gbaud,基于磷化铟(InP)调制器可达到 130Gbaud,而基于 LiNbO3 的调制器可能超过 130 Gbaud。基于这种优势,铌酸锂调制器在长途相干光传输和超高速数据中心的场景具备良好的竞争力。铌酸锂材料走向薄膜化后,在具备优秀光学性能的同时,还能做到小型化,可满足相干、数通光模块日渐小型化的要求。
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