图表62意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术联合开发协议
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与意法半导体签署氮化镓技术开发与制造协议，产能互换有望提升供应链韧性。技术层面，双方联合开发计划加速高性能氮化镓功率技术的迭代，补足 ST 在硅基、碳化硅外的第三代半导体布局，同时强化英诺赛科在高压、高可靠性场景的技术突破能力。同时，与 ST 的海外产能形成互补，英诺赛科可借助意法半导体在欧洲的制造产能，意法半导体可借助英诺赛科在中国的制造产能。
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