可集成在硅光芯片上的Ge探测器结构：面入射（上）及波导耦合（下）
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薄膜铌酸锂有潜力成为制造高性能集成光子器件的理想平台。薄膜铌酸锂是从铌酸锂晶圆上剥离得到，保持了铌酸锂晶体优异的电光与光学特性，目前3dB带宽达到108GHz（显著优于目前硅光调制器的67GHz），在3.2T光模块中可能大规模应用。同时薄膜铌酸锂可以转移到平面化后的硅基光电子集成平台上用于高度集成的硅光芯片。相比在薄膜铌酸锂平台上制备调制器，将薄膜铌酸锂晶圆键合至制备好的SOI上可以更好的利用硅波导强光场束缚和热调效率高等特点。因此未来异质集成薄膜铌酸锂可能成为硅光模块调制器解决方案，薄膜铌酸锂调制器结构也分为MZM和MRM，目前均在实验室实现硅光芯片上的异质集成。
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