全球先进制程与高端存储扩产浪潮同步来袭,海外龙头资本开支持续上修。台积电 2025 年资本支出达 409 亿美元,2026 年进一步上修至 520-560 亿美元,并同步加速 3nm、2nm与 CoWoS扩产;受英伟达、AMD、特斯拉等头部客户产能需求紧张推动,公司 3nm制程启动紧急扩产,据摩根士丹利预估 2026年月产能将提升至 14-15万片,同时计划将 2nm晶圆厂从 7座扩充至 10座,预计2026年月产能 8-9万片。三星加速 2nm代工产能落地,并敲定 1cDRAM扩产时间表,目标 2026年底月产 20万片;SK海力士 1cDRAM月产能将从当前约2万片提升至 2026年的 16-19 万片;美光投资约 96 亿美元在广岛新建 HBM生产设施,预计 2026年 5月施工、2028年量产,全面达产后可实现 12英寸晶圆月产能 10万片。