各凸点技术信号传输流失程度与频率的关系
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容易在加热熔化过程中完全反应变质，降低导电性能；植球回流过程中两相邻焊锡球容易碰触在一起，导致芯片失效。混合键合技术通过将芯片或晶圆平面上抛光后凹陷的CuBump 进行退火处理，使得 Cu 略微膨胀，两平面完全贴合，以无凸点(Bumpless)的方式缩减连接距离、提升接点密度、散热能力、信号传输准确度，从而降低能耗、提升效率。相比微凸点，混合键合技术能使 I/O 引脚密度增加 5-10 倍。当下，混合键合技术主要用于晶圆级封装，在晶圆制造环节即设计铜触点连接两片晶圆，切割后成为一体化的封装模块。
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