长期看,存储及先进制程逻辑芯片如实现完全国产替代,投资额可达近1.5万亿元,贡献洁净室市场空间超2000亿元。根据广发建筑团队外发的《国内洁净室专题报告:存储及先进制程扩产提速,量增、利升双轮驱动》,假设NAND Flash、DRAM(含HBM)及7nm以下先进制程对应单位投资分别为37/51/400亿元/万片月产能。结合供需缺口测算,实现100%国产替代所需投资额分别为:NAND Flash 2546亿元,DRAM(含HBM)2648亿元,其中HBM和普通DRAM分别为600/2048亿元,先进制程为9200亿元。洁净室占晶圆厂投资15%左右,则NAND Flash、DRAM(含HBM)及先进制程对应洁净室市场空间分别为382/397/1380亿元,总市场空间2159亿元。