申万宏源研究AI硬件深度报告显示，中国大陆在2023年先进制程（16nm及以下）份额提升至8%，较2022年显著增长，有望承接BIS禁令下回流的AI、智能手机及智驾芯片。成熟制程（>28nm）产能预计从2023年31%提升至2027年47%，国际IDM积极与中系晶圆厂合作China for China供应链。先进封装（CoWoS、SoIC）和HBM产业链也在加速国产化，2025年有望迎来产能释放和技术升级。
中国先进制程崭露头角，BIS新规下重要性提升
制约国内AI算力自主可控的最大公约数是先进制程产能，在BIS新规下其重要性进一步提升。根据TrendForce，中国大陆2023年先进制程份额升至8%，中芯国际（SMIC）和华虹（HHGrace）为代表的中系晶圆厂正在拉近与台积电、三星的节点差距。中芯国际2025年技术路线图涵盖7nm（N+2）及5nm节点，华虹在28nm及以下加速追赶。先进制程突破将直接支撑国产AI芯片、手机SoC和智驾芯片的自主化生产。
成熟制程产能扩张，国际IDM加速本土化合作
中国大陆成熟制程产能占比将明显增加，从2023年的31%提升到2027年的47%，几乎占据全球半壁江山。以功率、模拟、射频、嵌入式存储为代表的特色工艺全面发展。欧、日系IDM（意法半导体、瑞萨、英飞凌、恩智浦）与中系晶圆厂合作转为积极，ST率先与华虹合作40nm工控/车用MCU产品开发，有望2025年底前量产；瑞萨、英飞凌自2024年积极洽谈代工合作，庞大市场驱动China for China供应链成形。
CoWoS、SoIC等2.5D/3D封装产业化加速
随着英伟达Blackwell平台2025上半年逐步放量，台积电CoWoS月产能有望于2025年底接近翻倍、达75-80K/M。主要CSP积极投入ASIC AI芯片，对CoWoS需求量上升。中国大陆OSAT厂商积极布局：盛合晶微完成7亿美元融资推进超高密度三维多芯片互联项目，产能2025年大幅提升；长电微电子项目（总投资100亿元）一期年产60亿颗高端先进封装芯片，2025H1产能释放；甬矽电子Fan-out已初步通线，2.5D产品线有序推进，已与国内CPU/GPU及通信芯片设计企业签订封装服务协议。
HBM带动国产封装产业链升级，存储迈向第一梯队
全球主流HBM被三星、SK海力士、美光垄断，2025年在国产DRAM厂商带领下实现技术升级。长鑫存储（CXMT）DRAM工艺从G1（23.8nm）演进至G4（16nm），特征尺寸接近三星/海力士/美光D1z节点（15.8-16.2nm），2024年光威DDR5 6000MHz内存首次采用国产16Gb DDR5芯片。NAND方面，三星与长江存储2025年2月开始合作，获得混合键合专利授权用以生产超400层的V10 3D NAND。HBM需约19个增量材料工程步骤，带动封装材料、测试设备需求增长。
中国DRAM制程演进对比| 世代 | 特征尺寸 | Bit Density | Die Size | 相对海外节点 |
|---|
| CXMT G1 | 23.8nm | 0.101 Gb/mm² | 79.20 mm² | D2y |
| CXMT G3 | 18.0nm | 0.179 Gb/mm² | 44.66 mm² | D1x |
| CXMT G4 | 16.0nm | 0.239 Gb/mm² | 66.99 mm² | D1z |
投资建议——先进制造全产业链布局
先进制程突破、成熟制程扩张、先进封装升级、存储技术迭代四维共振，建议关注：晶圆代工（中芯国际、华虹公司）；先进封装（长电科技、通富微电、甬矽电子）；测试（伟测科技）；存储（德明利、联芸科技）。自主可控背景下，国内半导体制造产业链有望加速追赶全球先进水平。
