西部证券报告指出，先进封装是硅微粉需求增长最强劲的细分领域。2028年全球先进封装用填料需求量有望达5.6万吨，2023-2028年CAGR为10.9%，增速是传统封装3倍以上。HBM进入高速增长阶段，Gartner预测2027年HBM市场收入52亿美元（CAGR 36.3%）。Lowα球硅满足低放射性要求，2031年市场规模有望达1.59亿美元。Lowα球铝兼具低放射性和高散热优势，受益HBM散热需求快速扩容。联瑞新材已实现Lowα球硅批量供货，雅克科技子公司华飞电子具备1000吨/年Lowα球硅产能，天马新材Lowα球铝研发突破。
先进封装：2029年800亿美元市场，2.5/3D封装CAGR 18%
先进封装是半导体产业在后摩尔时代的关键发展方向。伴随制程技术接近物理极限，芯片性能提升难度加剧，产业将目光投向先进封装技术，通过创新封装手段实现芯片更紧密集成，优化电气连接，满足AI、HPC对芯片性能的高要求。Yole预测2029年全球先进封装市场规模有望从2023年390亿美元增长至800亿美元，CAGR达12.7%。
分类型看，2.5/3D封装增速最快，2029年市场规模有望达276亿美元，CAGR为18%，首次超越Flip chip成为规模最大的先进封装细分市场。先进封装对填料性能要求更高，价格也相应更高。以环氧塑封料为例，传统封装用EMC约30元/公斤，先进封装约100元/公斤，对应的填料价值量差异显著。
先进封装用硅微粉需求测算显示，2023年先进封装用填料3.3万吨，2028年有望达5.6万吨，CAGR 10.9%。填料填充率假设为90%，高于传统封装的75%。先进封装用填料增速10.9%远超传统封装的3.2%，体现产业升级趋势。
HBM需求爆发：MR-MUF工艺拉动Lowα球硅/球铝
HBM（高带宽存储器）是AI算力芯片的关键配套器件，通过垂直堆叠DRAM芯片实现高带宽、低功耗、小体积。Gartner预测2027年全球HBM市场收入52亿美元（CAGR 36.3%），需求9.72亿GB（CAGR 51.3%）。HBM堆叠结构对散热提出更高要求，热传导路径较长，热阻增加。
MR-MUF工艺是HBM封装的主流技术路线。批量回流焊工艺（MR-MUF）在DRAM间使用环氧塑封料作为间隙填充材料，导热性优于热压缩工艺（TC-NCF）的非导电膜，接面温度更低。MR-MUF工艺解锁HBM热量控制，成为HBM封装关键解决方案。
Lowα球硅及球铝是HBM封装用塑封料的核心填充料。α射线增加芯片“软错误”风险，半导体高密度化趋势下需控制α射线，Lowα球硅铀、钍元素含量要求10ppb以下。HBM还需解决散热问题，Lowα球铝兼具低放射性和高导热性（导热系数约30W/(m·K)，远高于硅微粉的1.1W/(m·K)）。Proficient Market Insights预测2031年全球Lowα硅微粉市场规模1.59亿美元。Lowα球铝受益HBM高速增长，需求有望快速扩张。
国产替代：联瑞新材、雅克科技、天马新材率先突破
国产企业在Lowα球硅和球铝领域正实现突破。联瑞新材已掌握火焰熔融法、高温氧化法、液相法工艺，Lowα球硅实现批量供货，亚微米球硅性能可与日本先进产品媲美（铀含量1.3×10⁻⁹ vs 日本同类产品，Tg 172.3℃ vs 170.5℃）。
雅克科技子公司华飞电子深耕球形硅微粉开发生产，截至2023年末拥有球形硅微粉产能10500吨/年，其中Lowα球形硅微粉1000吨/年。2024年上半年CCL及球形氧化铝已实现突破并开始稳定供货，亚微米球硅开发完成。2024年8月公告投资8.97亿元建设“年产2.4万吨电子材料项目”，进一步丰富高端电子粉体品类。
天马新材2024年10月公告Lowα射线球形氧化铝研发取得突破性进展，放射性元素铀和钍含量均低于5ppb级别，掌握核心技术，处于实验中试向产业过渡阶段。Lowα球铝技术门槛高，国产突破将打破海外垄断，满足国内HBM产业链对高端散热填料的需求。
