中泰证券报告深入分析WOW 3D堆叠DRAM这一高带宽存储解决方案。WOW 3D堆叠DRAM属于近存计算，DRAM与逻辑芯片采用3D堆叠（晶圆对晶圆混合键合）。紫光国芯SeDRAM性能瞩目：带宽8656GB/s（HBM3E的7倍），功耗仅为传统DRAM的9%。混合键合pitch 3um，IO数量131072个（HBM3仅1024个）。紫光国芯2020年已量产SeDRAM，爱普存储2021年发布VHM方案，芯盟科技2022年推出HITOC方案。矿机市场率先落地，端侧AI或成新增长极。
性能优势——带宽7倍于HBM，功耗仅9%
WOW 3D堆叠DRAM性能领先的核心在于混合键合工艺。传统HBM采用Microbump（焊球连接），pitch几十微米。WOW 3D堆叠DRAM采用混合键合（直接铜-铜互连），pitch可缩小至3um以下，IO密度大幅提升。紫光国芯SeDRAM的混合键合pitch为3um，有超过6.4万个混合键合孔，最大通孔密度110,000/mm²。
具体性能：2层64Gb（8GB）SeDRAM产品，IO数量131072个，IO速度541Mbps，带宽8656GB/s。对比HBM3（192Gb/24GB，1024个IO，7168Mbps，带宽819GB/s），SeDRAM带宽是HBM3的10倍以上。功耗方面，SeDRAM仅为传统DRAM的9%（HBM3为53%）。每GB带宽135GB/s（HBM3仅4.7GB/s）。功耗优势来自去掉PHY、IO速度慢、3D封装路径短、混合键合电阻小等多重因素。
产业布局——紫光国芯/爱普/芯盟三足鼎立
紫光国芯2020年量产SeDRAM，是WOW 3D堆叠DRAM的先行者。SeDRAM采用Wafer on Wafer混合键合工艺，DRAM和Logic Die面积相同（25.24×23.86mm²）。4Gb SeDRAM由4个1Gb单元阵列构成，1Gb有8个通道、1024个I/O、34GBps带宽、0.88pJ/bit功耗。DRAM制程25nm，Logic 55nm。供应链方面，DRAM由力积电代工，混合键合由武汉新芯完成。
爱普存储2021年发布VHM方案，每GB DRAM提供超过4TB/s带宽，全窗大小可达24TB/s。供应链：爱普提供VHM设计+IP，力积电代工DRAM，台积电负责逻辑芯片和3D堆叠键合。芯盟科技2022年发布基于HITOC技术的3D DRAM架构，采用Wafer-on-Wafer和Die-on-Wafer混合键合，2022年1层DRAM方案已导入市场。兆易创新2024年成立青耘科技布局定制化DRAM（持股78%）。
端侧AI——新增长极
端侧部署本地大模型是趋势，具备高隐私性、安全性、可靠性，可提供个性化服务。DeepSeek全开源，模型可蒸馏（1.5B/7B/14B/32B/70B小模型），降低了模型部署在手机/PC等端侧的难度。但使用传统存储器仍面临存储带宽瓶颈。WOW 3D堆叠DRAM高带宽（低延时、快响应）、低功耗（延长续航），契合端侧AI场景，潜在应用包括AI手机、AI PC、汽车、机器人等。
矿机市场已率先验证WOW 3D堆叠DRAM的商业价值。中科声龙茉莉X4芯片采用3D堆叠DRAM（存储带宽1TB/s，容量5GB），处理能力65MH/s，功耗仅23W（显卡150W以上）。随着端侧AI渗透率提升，WOW 3D堆叠DRAM需求有望迎来爆发。
WOW 3D堆叠DRAM性能对比| 指标 | WOW 3D堆叠DRAM | HBM3 | 提升倍数 |
|---|
| 带宽（GB/s） | 8656 | 819 | 10.6x |
| IO数量 | 131072 | 1024 | 128x |
| 功耗（相对值） | 9% | 53% | 5.9x（低） |
| 每GB带宽（GB/s/Gb） | 135 | 4.7 | 28.7x |
