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美光HBM市场前景

华泰证券2025年2月发布的海外科技深度报告指出,美光科技(Micron)作为美股新四朵小花(MIPS)之一,正凭借12层HBM3E量产和ASIC需求迎来新机遇。美光FY25Q1 HBM营收环比增长超一倍,公司预计2025年HBM市场TAM超300亿美元、FY25 HBM营收有望达50亿美元。DeepSeek证明AI训练与推理进入降本增效模式,杰文斯悖论表明成本下降或加速AI商业化,推动ASIC芯片加速落地,带动HBM规格与需求双双提升。华泰证券给予美光目标价144美元,潜在空间46%。

HBM3E量产突破:12层堆叠获英伟达供应协议,25年市占率目标25%

美光12层堆叠HBM3E已获英伟达供应协议并进入大规模量产阶段。公司预计HBM4将于2026年量产,定制版HBM4E或于2027-2028年推出。据韩媒ETNews报道,美光或将在HBM4中率先采用无助焊剂键合技术,目前已与合作伙伴展开测试,以应对DRAM间距挑战并提升HBM堆叠层数。美光HBM市场份额2025年有望从10%提升至25%。对比海力士(12层HBM3E 2024年底量产,16层HBM3E 2025上半年送样,HBM4有望2H25量产)和三星(HBM4通过自家4nm制程启动试生产),美光凭借与台积电合作的无助焊剂键合技术,有望在HBM4时代缩小差距。

ASIC加速落地与存储周期拐点:双重驱动业绩增长

DeepSeek证明AI训练与推理进入低成本、高效新模式,杰文斯悖论表明成本下降或加速AI商业化,推动ASIC加速落地。今年将出现谷歌TPU和AWS Trainium以外的各种ASIC自研AI芯片,ASIC升级带来HBM在规格和容量双方面的需求提升。存储周期方面,美光预期DRAM价格将从2025Q2开始上涨,NAND也或将价格止跌。主要原因:1)三大内存厂几乎没有再增加DRAM产量,HBM排挤DDR5产能影响显著,每增加1单位HBM产能排挤3倍标准型DDR5生产空间;2)高端和大容量存储需求随AI服务器热潮重新浮现。美国政府芯片法案对美光提供最高61.65亿美元补助,支持公司扩产。

财务预测与估值:目标价144美元,潜在46%空间

华泰预测美光FY25/26/27营收为357/454/447亿美元,调整后净利润为87/132/131亿美元。基于HBM已成为增长动力,叠加英伟达供应链客户基础稳固,有望实现量价齐升和利润率优化。给予3.2x 2025E PB,目标价144美元(较2月21日收盘价98.84美元有46%潜在空间),维持“买入”。尽管消费电子传统业务需求平淡导致内存价格承压,但三星与海力士优化传统NAND市场供需量,美光传统存储业务或将受益。
美光HBM关键指标与预测
指标当前/2024年2025年预测2026年预测
HBM市场份额约10%25%持续提升
HBM3E量产状态12层已量产(英伟达供应)主导地位HBM4量产
HBM市场TAM超300亿美元持续增长
美光HBM营收FY25Q1环比超一倍约50亿美元持续增长
点击阅读报告原文: 科技行业:美股四朵小花(MIPS)黎明将至?-250223(24页)
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