利基型存储芯片正迎来供需格局的结构性改善。多家券商联合报告指出，三星已通知客户停产DDR3，SK海力士计划2024年底将DDR4产量占比从30%降至20%，美光大幅减少DDR3供应——海外存储大厂正加速退出利基市场。标准型DRAM（DDR5）价格已反弹46.7%，而利基型DRAM（DDR3/DDR4 4Gb）仍处周期底部，供需格局改善有望带来长期的价量修复。本文从海外退出、供需改善、受益标的三个维度分析利基型存储芯片市场的投资机会。
海外大厂加速退出利基市场：三星停产DDR3，SK海力士DDR4占比降至20%
海外存储大厂正系统性地退出利基型DRAM和低容量NAND市场。韩厂方面，三星在2024年Q2末已通知客户将停产DDR3；SK海力士更早在2023年底将大陆无锡厂DDR3制程转进DDR4（等同于不再供货DDR3），并计划2024年底前将DDR4产量占比从30%降至20%。美光方面，为扩充DDR5和高带宽内存（HBM）产能，同样大幅减少了DDR3供应量。NAND方面，三星已退出SLC NAND市场，未来海外IDM厂商也将逐步退出小容量NAND市场。海外大厂退出利基市场的核心驱动力：数据中心标准型DRAM和HBM需求增长（AI服务器DRAM用量为传统服务器8倍）拉动产能向高毛利产品转移，利基型产品毛利率相对较低，在产能紧张时优先被压缩。
供需格局改善：利基型DRAM价格有望企稳回升
利基型DRAM（DDR3/DDR4 4Gb及以下）主要面向消费电子、工业、网通等市场，与标准型DRAM（DDR5）价格走势存在显著分化。标准型DRAM价格自2023年4月低点反弹46.7%（DDR5 16Gb从3.17美元→4.65美元），而利基型DRAM价格仍处于周期底部，较前低无明显涨幅。随着海外大厂逐步退出，供需格局有望持续改善——供给端，三星/海力士/美光退出减少市场供给；需求端，网通、安防、工业、汽车等利基市场保持稳定需求。国内厂商在利基市场的份额有望进一步提升。据iFinD数据，DDR4 8GB-3200/16GB-3200均价分别为1.10/2.10美元（2025年2月）。伴随海外大厂退出和国内厂商扩产，利基型DRAM价格有望在2025年下半年企稳回升。
利基型NAND/SLC NAND：端侧AI驱动容量升级
SLC NAND是利基型NAND的主要品类，具有寿命长（10万次擦写）、速率快、可靠性高等特点，在工控、网通等稳定性要求较高的领域有广泛应用。东芯股份的SLC NAND产品在通讯领域（宏基站、微基站、光猫、WiFi 6等）有广泛应用。IoT Business News预测WiFi 7将在2024年加速渗透，为SLC NAND传统应用提供增长动能。AI推动终端设备代码存储量上升，当代码量达到Gb级，NOR Flash成本显著上升（256MB NOR约4美元 vs 1GB NAND约1美元），SLC NAND开始在消费电子（TV、游戏机、可穿戴）、车规、安防等领域打开增量空间。国内SLC NAND厂商东芯股份1xnm制程产品已进入风险量产，车规产品通过AEC-Q100测试。
受益标的：兆易创新/北京君正/东芯股份/普冉股份
利基型存储芯片市场的国产替代机会集中在以下标的。兆易创新专注利基型DRAM（与长鑫存储深度合作），NOR Flash全球第二，2024年前三季度归母净利润同比+91.71%。北京君正（ISSI）在车规SRAM/DRAM领域具备全球竞争力，产品主要面向汽车、工业、医疗等行业市场，存储芯片收入占比较高，公司拥有算法、NPU等AI技术并集成在计算芯片产品中。东芯股份聚焦SLC NAND，1xnm产品进入风险量产，MCP产品在功能手机、通讯模块等市场具备竞争力，车规产品通过AEC-Q100测试。普冉股份SONOS工艺NOR在中低容量市场优势显著，EEPROM全系列通过AEC-Q100认证，车载产品实现海内外客户批量交付，2024年营收同比+60.03%并实现扭亏为盈。
海外大厂利基型存储退出计划| 厂商 | 具体措施 | 时间节点 | 影响 |
|---|
| 三星 | 停产DDR3，减产通用型LPDDR4X | 2024年Q2通知客户 | DDR3供给减少 |
| SK海力士 | DDR4产量占比从30%→20% | 2024年底前 | DDR4供给减少 |
| 美光 | 大幅减少DDR3供应 | 持续进行中 | DDR3供给减少 |
