国金证券报告分析全球晶圆产能扩张趋势。随着8吋晶圆产能扩张停止，将8吋工艺产品转移至12吋工厂的趋势已经开始。12吋晶圆产能2022-2027年CAGR为11.6%，8吋仅1.1%。中国大陆产能扩张极为迅速，到2027年将占12吋产能34%（CAGR 19.6%），成熟制程将占全球47%份额。存储客户是后续扩产主要增量来源。本报告解析晶圆产能区域化与制程分化趋势。
12吋成为主流，2022-2027年CAGR 11.6%
8吋晶圆产能扩张基本停止，将8吋工艺产品转移至12吋工厂的趋势已开始出现。12吋晶圆产能逐年增加，预计2022-2027年CAGR为11.6%。8吋晶圆产能增长缓慢，且在2027年有下降趋势，CAGR仅为1.1%。先进制程（7nm及以下）和成熟制程（28nm及以上）均以12吋为主，12吋已成为晶圆制造绝对主流。
中国大陆产能扩张极为迅速，到2027年将占12吋晶圆产能的34%，CAGR为19.6%，超过行业整体平均增长率。半导体晶圆厂区域化趋势明确，各地为保障供应链安全纷纷建设本土产能。
表：12吋与8吋晶圆产能增长对比（2022-2027E）| 晶圆尺寸 | 2022-2027年CAGR | 主要驱动 |
|---|
| 12吋 | 11.6% | AI芯片、先进制程、存储扩产 |
| 8吋 | 1.1% | 产能扩张基本停止 |
先进制程：美国占21%，中国台湾降至54%
美国和中国台湾占据先进制程主要份额。美国在本土建设先进制程产能最为积极，TrendForce预计到2027年美国将占21%份额，中国台湾份额将降至54%。3nm以下前沿逻辑是中国台湾晶圆厂投资的主要驱动力，预计未来三年投资750亿美元。
先进制程产能扩张主要由AI芯片需求驱动，包括英伟达GPU、AMD MI系列、各类AI ASIC等。台积电、三星、英特尔在先进制程领域的竞争持续加剧，美国本土晶圆厂建设加速推进。
成熟制程：中国占47%，国产化率持续提升
在成熟工艺方面，中国大陆晶圆厂重点扩展28nm及以上制程产能。TrendForce预计到2027年中国大陆将占47%的成熟节点产能，且仍有继续上升调整的可能性。成熟制程广泛应用于汽车电子、工业控制、消费电子等领域，国产替代空间广阔。
制裁收紧后，设备国产化率提升成为重中之重。光刻机作为“卡脖子”环节设备，国内晶圆厂提前下单，ASML 2024年前三季度中国大陆收入占比持续超45%。光刻机到位后，其他环节设备招标有望加速。
存储扩产是主要增量，NAND 2025年+55.5%
分领域看，后续扩产主要来自存储领域客户。Foundry和Logic领域2024年设备销售预计同比-2.9%至572亿美元，2025年+10.3%至630亿美元。NAND设备销售额2024年保持稳定（+1.5%至93.5亿美元），2025年预计+55.5%至146亿美元。DRAM设备销售额2024/2025年分别+24.1%/+12.3%，受AI部署和HBM需求激增驱动。
存储芯片产能扩张对极高深宽比刻蚀设备需求迫切。3D NAND堆叠层数不断提升，垂直通孔刻蚀是决定堆叠层数的最重要工艺难点。中微公司自主研发极高深比刻蚀机，是大陆唯一极高深宽比刻蚀供应商。
投资建议：聚焦设备与晶圆代工国产化
晶圆产能扩张趋势下，建议关注：1）晶圆代工国产化：中芯国际（先进制程追赶）、华虹公司（特色工艺）；2）设备国产化：北方华创（刻蚀/薄膜）、中微公司（极高深宽比刻蚀）、拓荆科技（薄膜沉积）；3）先进封装：甬矽电子、通富微电（Chiplet/3D封装）。自主可控趋势下，晶圆产能扩张+设备国产化率提升双重驱动，半导体设备/制造环节迎来发展机遇。
