财通证券最新洁净室深度报告梳理了全球主要晶圆代工、存储、IDM和封测企业的建厂规划。台积电在中国台湾、美国、日本和德国的多期晶圆厂，美光在美国、日本和新加坡的存储项目，以及三星、SK海力士在韩国的基地建设均于2025-2028年密集推进。2026E封装测试资本开支同比增长82.8%，扩产内容由生产设备进一步延伸至新厂、洁净室和配套厂务系统建设。本报告基于财通证券研究所数据，深入分析洁净室建设需求的项目支撑与区域分布。
晶圆代工——多区域同步建设，先进制程优先落地
晶圆代工项目整体进入“多区域同步建设、先进制程优先落地”阶段。台积电仍是节奏最快、投资强度最高的主体：新竹Fab20 P1已投产、P2-4在建，高雄Fab22 P1已投产、P2-5在建，台中Fab25在建；海外美国亚利桑那P2预计2027H2投产，德国Fab24预计2027年投产，日本Fab23P2预计2028年投产。
联电新加坡Fab12i P3预计2026年投产，VSMC新加坡首座12英寸厂预计2027Q1量产。格芯台湾嘉义AP7 P1/2已投产、P3-P5在建，美国纽约APPC在建、佛蒙特州Fab8.1在建。
晶圆代工扩产主要落地中国台湾、美国、日本、德国和新加坡，对应先进制程本土基本盘、欧美日制造回流政策以及东南亚成熟制程供给补位。2025-2027年在建项目密集，预计对应洁净室建设需求集中在2026-2028年释放。
存储——HBM和先进DRAM扩产并行，2026-2028年建设高峰
存储项目进入HBM、先进DRAM和NAND扩产并行阶段。美光在日本广岛新建1y DRAM/HBM4产线2026-2028，美国纽约Fab1预计2026Q4-2028H2投产，爱达荷ID1 2023-2027，新加坡Fab10B 2026-2028。
SK海力士美国印第安纳先进封装2026-2028H2，韩国龙仁Fab1 2025-2027，清州P&T 2026-2027完成WT产线、2028年完成WLP产线。三星平泽P4 Ph1已投产、Ph2/3在建，龙仁Fab1 2027-2029，忠清HBM基地提供中长期弹性。
存储产能落地集中美国、韩国、日本、新加坡和中国台湾，2026-2028年是存储新厂洁净室、HBM后段空间和设备安装前置工程的高峰期。美光2026E资本开支270亿美元同比+70.3%，SK海力士264亿美元同比+39.9%，资本开支增量主要用于洁净室相关设施建设。
IDM与封测——模拟/SiC扩产分化，先进封装加速
IDM厂商建厂节奏呈现结构性分化。德州仪器美国Sherman SM1已投产、SM2在建，犹他LFAB2预计2026年投产，2026E资本开支25亿美元同比-45.1%；英飞凌马来西亚Kulim M3P2 2024-2027，泰国Bangkok Backend Fab规划2026年初投产；英特尔俄亥俄Ohio One两座厂投产时点已后移至2030-2032年。
封测环节2026E资本开支同比+82.8%为四个环节最高增幅。日月光高雄布局K18B、K19A、K28、福雷仁武新厂和梅兰园区新厂，K28预计2026年完成，福雷仁武一期/二期分别2027年4月和10月运营，K18B预计2028Q1投产。安靠美国亚利桑那Peoria AP1 2025-2028年建设、2028年初生产。
封测项目主要落地中国台湾、美国和韩国，先进封装厂房和高阶测试厂通常先于设备导入完成洁净空间控制，2026-2028年将是封测洁净室和机电系统集中交付期。
表5：主要晶圆代工/存储企业建厂节奏| 公司 | 项目 | 地点 | 投产/预计投产时间 | 状态 |
|---|
| 台积电 | Fab21 P2 | 美国亚利桑那 | 2027H2 | 在建 |
| 台积电 | Fab24 P1 | 德国萨克森 | 2027年 | 在建 |
| 台积电 | Fab23 P2 | 日本 | 2028年 | 在建 |
| 美光 | Fab1 | 美国纽约 | 2028H2-2029Q1 | 在建 |
| 美光 | Hiroshima New Fab | 日本广岛 | 2026-2028 | 在建 |
| SK海力士 | Yongin Fab1 | 韩国龙仁 | 2025-2027 | 在建 |
| SK海力士 | West Lafayette AP | 美国印第安纳 | 2028H2 | 在建 |
| 三星 | P4 Ph2/3 | 韩国平泽 | 2026H2 | 在建 |
| 三星 | Yongin Fab1 | 韩国龙仁 | 2027-2029 | 待建 |
