财通证券半导体供应链报告指出，HBM（高带宽存储器）是当前存储器市场中增长最快的细分领域，也是推动DRAM市场规模扩张的核心引擎。SK海力士3Q2024 HBM业务收入环比增长超过70%，同比增长330%，占DRAM整体收入30%，4Q2024有望达40%。Trendforce预计2024年全球DRAM营收达907亿美元（+75%），2025年达1365亿美元（+51%）；NAND 2024年营收674亿美元（+77%），2025年达870亿美元（+29%）。AI芯片需求驱动的HBM和QLC技术迭代是存储器市场长周期增长的核心驱动力，但常规DRAM和NAND在Q4面临价格下行压力。
HBM需求爆发：海力士领跑，三星追赶
HBM（高带宽存储器）是AI训练芯片的核心配套器件，英伟达H100/B100、AMD MI300X等AI GPU均需搭配HBM使用。随着AI模型参数从千亿级向万亿级演进，HBM的容量和带宽需求持续攀升。HBM3E（第五代HBM）已成为2024年主流，HBM4预计2026年量产，每颗GPU的HBM搭载量从80GB向192GB甚至更高演进。
SK海力士是目前HBM市场的绝对龙头。公司3Q2024 HBM收入环比+70%、同比+330%，占DRAM总收入30%，预计4Q2024达40%。公司Q3营收17.57万亿韩元（+94%，历史最高），营业利润7.03万亿韩元（环比+29%，上年同期亏损1.79万亿），净利润5.75万亿韩元（环比+40%）。海力士在HBM3E的量产进度和良率上领先，已批量供货英伟达，是英伟达HBM供应链的第一大供应商。
三星在HBM领域进展落后，拖累了整体存储业务表现。三星Q3半导体业务经营利润3.86万亿韩元（环比-40%），存储营收22.27万亿韩元（环比+2%，远低于海力士的+7%）。三星HBM3E产品虽已宣布量产，但客户验证进度晚于海力士。三星正积极扩产HBM产能，计划2025年将HBM产能提升至2024年的3倍，追赶海力士。
美光同样在HBM领域积极布局，其HBM3E已进入英伟达供应链。三大存储原厂2025年合计HBM产能有望实现翻倍增长，HBM占DRAM总产出的比例将从2024年的约7%提升至2025年的15%以上。HBM的高附加值（价格约为同容量常规DRAM的5-8倍）将显著提升存储厂商的盈利能力。
DRAM市场：2024+75%，HBM驱动结构升级
Trendforce预计2024年全球DRAM营收达907亿美元，同比增长75%；2025年达1365亿美元，同比增长51%。DRAM市场的高增长主要由三方面驱动：HBM出货量激增（2024年HBM位元供给量预计增长超200%）、常规DRAM价格回升（但Q4已承压）、企业级服务器需求复苏。
DRAM市场结构正在发生深刻变化。HBM占DRAM总产出的比例从2023年的约2%提升至2024年的约7%，2025年有望达15%以上。常规DRAM（PC/Server/Mobile/Consumer）产能被HBM挤占，供给趋紧。Trendforce预计2025年DRAM位元供给增速约15-20%，需求增速约10-15%，供需关系总体健康。
但短期看，4Q2024常规DRAM价格涨幅已收敛至0-5%，PC DDR4/DDR5基本持平，Server DDR4持平，Mobile LPDDR4X下滑5-10%，Consumer DDR3下滑0-5%。消费终端需求疲软和库存偏高是价格承压的主因。2025年随着AI PC换机潮（预计2025年AI PC渗透率超30%）、智能手机需求回暖，常规DRAM价格有望企稳回升。
NAND市场：QLC技术迭代，企业级SSD需求强劲
Trendforce预计2024年NAND营收674亿美元（+77%），2025年达870亿美元（+29%）。增长驱动力主要来自企业级固态硬盘需求增长、智能手机采用大容量QLC闪存、以及服务器需求复苏。
QLC（4-bit per cell）技术是NAND市场的重要增量来源。QLC NAND相比TLC（3-bit）存储密度提升33%，成本优势显著，但在写入速度和耐久性方面较弱。随着3D NAND层数提升（主流200+层向300+层演进），QLC的可靠性和性能不断改善，已广泛应用于企业级SSD（读取密集型场景）。AI服务器对高速大容量存储的需求也推动了企业级SSD的出货增长。
NAND短期价格同样承压。4Q2024 NAND Flash产品合约价或下跌3-8%，eMMC/UFS下滑8-13%，Client SSD下滑5-10%，企业级SSD上涨0-5%（AI服务器支撑）。3D NAND Wafer跌幅或扩大至10-15%。供给端，部分原厂稼动率恢复满载，产能小幅增加。2025年随着智能手机、PC需求回暖和AI服务器持续增长，NAND供需关系有望改善。
中长期看，AI对存储的需求将从HBM扩展到整体存储架构。AI服务器需配备大量DDR5内存、企业级SSD、存储级内存（SCM）等，带动存储器市场全面扩容。Trendforce预计2030年全球存储器市场规模有望突破2000亿美元，HBM和QLC技术的持续迭代是增长的核心驱动力。
表：全球DRAM及NAND市场规模预测| 年份 | DRAM营收（亿美元） | DRAM同比 | NAND营收（亿美元） | NAND同比 |
|---|
| 2023 | ~520 | - | ~380 | - |
| 2024E | 907 | +75% | 674 | +77% |
| 2025E | 1,365 | +51% | 870 | +29% |
