民生证券报告指出，海外存储大厂持续退出利基市场，叠加消费市场复苏，国产存储芯片厂商正迎来历史性的替代窗口。兆易创新NOR Flash市占率已跃居全球第二，北京君正（ISSI）车规存储收入占比超过40%，东芯股份1xnm SLC NAND研发取得阶段性进展。本文从NOR Flash、SLC NAND和利基型DRAM三个维度梳理国产存储芯片替代的投资主线。
NOR Flash——兆易创新全球第二，普冉/恒烁/聚辰快速成长
NOR Flash行业龙头多为台系厂商，本土厂商正加速追赶。兆易创新2023年Serial NOR Flash市占率排名进一步提升至全球第二位。公司2Mb-2Gb容量齐全，推出国内首款2Gb和首款国产超高速8通道的高性能SPI NOR Flash产品系列【30†L29-L30】。
普冉股份是NOR Flash主要供应商，2022年NOR Flash市场销售额排名全球第六【31†L29-L30】。公司40nm制程4Mb-128Mb均已实现量产，中小容量NOR车规产品已陆续完成AEC-Q100认证，主要应用于部分品牌车型的前装车载导航、中控娱乐等【32†L30-L31】。恒烁股份提供从1Mb到512Mb的NOR Flash产品系列，中大容量产品实现5Xnm全覆盖【37†L30-L31】。聚辰股份基于第二代NORD先进工艺平台推出业界最小尺寸的NOR Flash低容量系列芯片【26†L30-L31】。
SLC NAND——东芯股份与兆易创新双线布局
SLC NAND方面，国内厂商主要有兆易创新、东芯股份、江波龙等。东芯股份能够同时提供NAND、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案，SLC NAND容量覆盖512Mb至32Gb【36†L29-L30】。公司基于2xnm制程持续扩充SLC NAND产品线，先进制程的1xnm SLC NAND Flash产品研发已取得阶段性进展，产品已达成部分关键指标。
兆易创新SLC NAND以24nm为主要工艺制程，容量覆盖1Gb至8Gb，SPI NAND Flash在消费电子、工业、汽车电子等领域实现了全品类的产品覆盖。海外龙头三星在逐步退出SLC市场，为国产厂商腾出空间。SLC NAND在网通、工控等传统应用中设备升级换代带来增长逻辑，大容量下SLC比NOR更具成本优势。
利基型DRAM——北京君正车规领先，兆易创新DDR4流片
利基型DRAM方面，国内厂商兆易创新、北京君正、东芯股份等均有布局。北京君正（ISSI）的存储芯片产品分为SRAM、DRAM和Flash等类别，主要面向汽车、工业、医疗等行业市场及高端消费类市场【33†L31-L32】。汽车市场是公司存储芯片最大的应用市场，存储芯片收入中车规占比超过40%。公司DRAM产品包括SDR、DDR1、DDR2、LPDDR2、DDR3到DDR4、LPDDR4等【33†L31-L32】。
兆易创新DDR4、DDR3L产品在网络通信、电视、机顶盒、工业、智慧家庭等领域广泛应用【29†L29-L30】。DDR4 8Gb产品已实现流片，预计2024年下半年或年底给客户送样【19†L19-L20】。东芯股份DRAM产品品类包括DDR3(L)和LPDDR1/2/4X系列，适用于智能终端、可穿戴设备等产品【36†L29-L30】。
国产替代的核心逻辑与投资标的
表：国内主要利基型存储厂商产品布局| 厂商 | SRAM | 利基型DRAM | SLC NAND | NOR Flash | EEPROM |
|---|
| 兆易创新 | √ | √ | √ | √ | √ |
| 北京君正 | √ | √ | √ | √ | √ |
| 普冉股份 | | | | √ | √ |
| 东芯股份 | √ | √ | √ | √ | √ |
| 恒烁股份 | | | | √ | |
国产存储芯片替代的核心逻辑有三重。第一，海外大厂退出腾挪市场空间。三星、SK海力士退出DDR3，三星逐步退出SLC市场。第二，AI终端与汽车智能化推动容量升级。边缘AI和智能汽车对存储容量提出更高要求【19†L19-L20】。第三，国产厂商产品线持续完善。兆易创新从NOR拓展到DRAM，北京君正深耕汽车存储，东芯股份实现NAND/NOR/DRAM全覆盖【16†L17-L18】。
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