国信证券发布的半导体专题报告深入分析了DrMOS的技术壁垒与竞争格局。DrMOS将驱动IC和MOSFET上下管集成到同一封装中，可显著减小面积并降低寄生参数，提升电源转换效率，是XPU供电的核心器件。其技术壁垒高企：1）多相控制器需获得XPU厂商（英特尔、AMD、英伟达等）的协议授权；2）DrMOS对BCD工艺要求高，需要长时间积累和迭代；3）下游客户导入周期长。目前市场由MPS、英飞凌、瑞萨、AOS等海外厂商主导，国内杰华特、晶丰明源、芯朋微已取得初步突破，国产替代空间广阔。
DrMOS——XPU供电核心器件，合封与单芯片双路径
DrMOS是英特尔2004年推出的一种高效节能技术，将驱动IC和MOSFET上下管集成到同一封装中，不仅显著减小面积，还极大降低由多个元件带来的寄生参数，显著提升电源转换效率。DrMOS主要有两种技术方案：1）合封DrMOS：驱动IC和MOSFET在不同晶圆上生产，最后合封在一起；2）单芯片DrMOS：驱动IC和MOSFET在同一个Die上制造。单芯片方案集成度更高、性能更优，但对工艺要求也更高。多相控制器与XPU通过协议通信，不同XPU厂商具有不同的协议，包括英特尔的SVID、AMD的SVI2/3、英伟达的OVR、基于ARM芯片的AVS等。
多相电源三大技术壁垒——协议授权、工艺、客户认证
多相电源壁垒高，主要体现在三个方面：1）多相控制器需要与XPU进行协议通信，因此需要得到XPU厂商的协议授权。不同XPU厂商具有不同的私有协议，控制器厂商需要获得授权才能进入其供应链体系。2）DrMOS对工艺要求高，工艺需要长时间的积累和迭代。MPS的BCD Plus工艺已发展到第六代（55nm/12英寸），国内厂商在工艺积累上仍有差距。3）多相电源的性能直接影响XPU的工作状况，下游导入新的多相电源供应商的时间周期长、验证严格。由于以上进入壁垒，多相电源竞争格局相对较好，属于蓝海市场。
竞争格局——海外主导，国内厂商进入量产初期
目前多相电源供应商主要是海外的MPS、英飞凌、瑞萨、AOS等，市场份额高度集中。MPS凭借专有工艺和技术积累，在多相电源领域处于领先地位，2023年收入18.21亿美元，市值最高超400亿美元。国内厂商在产品推出上已取得成果：杰华特30A/50A/70A/90A DrMOS已量产爬坡，6/8/12相多相控制器量产，6/8相控制器通过英特尔测试；晶丰明源多款DrMOS批量出货，16相多相控制器量产并进入国际知名企业推荐供应商名单；芯朋微DrMOS和数字多相控制器在客户端验证。三家公司均处于客户导入和批量销售初期，后续国产替代进度可期。
表3：国内外多相电源主要参与者对比| 公司 | DrMOS进展 | 多相控制器进展 | 客户认证 |
|---|
| MPS | 全系列量产 | 全系列量产 | 全球主流XPU厂商 |
| 英飞凌 | 全系列量产 | 全系列量产 | 全球主流XPU厂商 |
| 杰华特 | 30-90A量产爬坡 | 6/8/12相量产 | 通过英特尔测试 |
| 晶丰明源 | 多款批量出货 | 16相量产 | 国际推荐名单 |
| 芯朋微 | 客户端验证 | 客户端验证 | 验证中 |
国产替代机遇与挑战
多相电源属于增量蓝海市场，随着算力需求增加而增加。AI技术的演进带动算力需求增加，博通CEO表示大科技公司对AI的投资热潮将持续到2030年底。同时，AI技术有望带动自动驾驶等AI终端落地，多相电源需求随之增加。国产替代面临的主要挑战：1）工艺差距——国内厂商在BCD工艺积累上与MPS等海外龙头仍有差距；2）协议授权——需要获得XPU厂商的授权才能进入供应链；3）客户认证周期长——多相电源直接影响XPU工作，客户导入谨慎。但国内厂商在性价比、本地化服务等方面具有优势，随着产品性能不断提升和客户信任度积累，国产替代有望加速推进。
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