AI算力设施对SiC/GaN功率器件的需求正在打开第三代半导体产业的投资新窗口。东方证券研报认为，SiC/GaN在AI算力设施供电系统中的应用潜力尚未完全挖掘，AI服务器及数据中心需求有望打开产业成长空间。建议关注GaN行业龙头英诺赛科；深度布局SiC/GaN功率器件的闻泰科技、华润微、新洁能、斯达半导、天岳先进；布局SiC功率器件业务的晶圆代工企业芯联集成；功率被动器件公司法拉电子、江海股份；布局第三代半导体设备市场的中微公司等。
英诺赛科——GaN全球龙头，英伟达供应链新贵
英诺赛科2023年全球氮化镓功率器件市场份额31%居首，2024年营收8.3亿元（+39.8%）。公司进入英伟达800V HVDC合作商名录，为Kyber机架系统提供GaN电源方案。8英寸晶圆产能从13000片/月扩至20000片/月（2025年底），远期目标70000片/月。建议关注其英伟达供应链地位提升和AI服务器电源方案放量。
闻泰科技——全球功率第3，战略聚焦半导体
安世半导体（闻泰科技半导体业务）2023年全球功率分立器件营收排名第3、中国第1。公司决定出售产品集成业务资产，全面聚焦半导体业务。2025年7月推出1200V SiC肖特基二极管，专为AI服务器基础设施设计，持续推进GaN FET及SiC MOS在AI数据中心的应用。
华润微——SiC收入快速增长，产品力持续提升
华润微2024年营收101.2亿元，SiC/GaN功率器件销售收入同比保持快速增长。SiC MOS G2和SiC JBS G3覆盖650V/1200V/1700V平台，2025年推出1200V SiC主驱模块。旗下润新微电子举办氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式，GaN产能持续释放。
产业链相关标的梳理
功率器件：新洁能（MOSFET/IGBT）、斯达半导（IGBT/SiC模块）、时代电气（高压SiC器件）、士兰微（IDM）、三安光电（SiC/GaN全产业链）。
晶圆代工：芯联集成（SiC功率器件代工）。
衬底材料：天岳先进（SiC衬底）。
被动器件：法拉电子（薄膜电容）、江海股份（铝电解电容/薄膜电容），受益于AI服务器电源需求增长。
设备：中微公司（第三代半导体刻蚀/外延设备）。
表：第三代半导体（SiC/GaN）核心标的梳理| 公司名称 | 核心业务 | SiC/GaN布局 | AI算力相关进展 |
|---|
| 英诺赛科 | GaN功率器件 | 全球份额31%，8英寸产线 | 进入英伟达HVDC合作商名录 |
| 闻泰科技 | 功率分立器件 | 全球第3，SiC/GaN全布局 | 推出1200V SiC肖特基二极管 |
| 华润微 | 功率器件IDM | SiC/GaN收入快速增长 | SiC产品覆盖AI服务器电源 |
| Navitas | GaN/SiC功率IC | 参与英伟达HVDC开发 | 为RubinUltra GPU供电 |
| 中微公司 | 半导体设备 | 刻蚀/外延设备 | 第三代半导体设备国产化 |
