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第三代半导体国产化

天风证券2025年度策略报告强调,特朗普再次当选美国总统后,对华技术封锁存在进一步加深可能,半导体产业链作为自主可控的核心环节,材料国产化刻不容缓。第三代半导体以氮化镓和碳化硅为代表,推动功率半导体向高频化转变,2025年全球功率器件市场规模有望达25.6亿美元。高纯金属溅射靶材与引线框架封装材料同样面临广阔的国产替代空间。

特朗普归来加剧技术封锁,半导体自主可控时不我待

2018年中美贸易摩擦以来,美国对以半导体和AI为代表的技术密集型产业采取严厉的技术封锁与投资限制。2018年特朗普签署《出口管制改革法案》(ECRA),对人工智能、芯片、量子计算等前沿技术产品进行出口限制。特朗普再次当选后,对前沿技术的封锁存在进一步加深可能,自主可控和国产替代至关重要。天风证券指出,半导体产业链为自主可控的核心环节,第三代半导体、高纯金属靶材、封装材料等细分领域国产化空间广阔。

从制裁手段看,美国对劳动密集型产业加征高关税与污名化,对资本密集型产业以“去风险”为由禁止5G通讯设备与新能源车进入美欧市场,对技术密集型产业联合技术联盟进行封锁并限制美资投融资。拜登政府延续其对华贸易政策,特朗普2.0时代技术封锁力度大概率进一步升级。
表:2018年以来美国对华不同产业制裁手段
产业类型制裁手段具体内容
劳动密集型高关税与污名化对两千亿美元中国商品加征关税,以污名化手段迫使跨国企业无法使用原产于中国的原料
资本密集型“去风险”与禁准入禁止中国5G通讯设备、新能源车进入美欧市场
技术密集型技术封锁与投资限制联合技术联盟对华封锁,限制美资投融资

第三代半导体规模快速扩张,2025年全球市场25.6亿美元

开关高频化是实现功率器件高功率密度的普遍性解决方案,高性能半导体材料可减小开关损耗使频率突破瓶颈。第三代半导体以GaN和SiC为主,推动功率半导体向高频化转变,已规模化应用于射频电子、功率电子和光电子领域。据Yole预测,2025年全球第三代半导体功率器件市场规模有望增长至25.6亿美元。受益于新能源汽车、光伏发电、轨道交通等下游产业扩张,第三代半导体功率器件市场正快速增长。

中瓷电子:精密陶瓷外壳龙头,资产重组进军第三代半导体

中瓷电子主营业务原为电子陶瓷材料及元件,通过资产重组进军第三代半导体器件及模块。电子陶瓷方面,IPO募投消费电子陶瓷产品产能爬坡中;陶瓷加热盘产品核心技术指标已达国际同类水平并通过用户验证,已批量应用于国产半导体关键设备。第三代半导体方面,子公司国联万众碳化硅器件通过比亚迪验证,OBC用SiC MOS产品批量供货,主驱用SiC MOSFET已完成终端客户各项实验验证。博威公司积极推进5G-A、6G、星链通信用射频芯片与器件关键技术突破。

高纯金属靶材国产替代加速,有研新材德州基地放量在即

高纯金属溅射靶材是集成电路金属化工艺中制备薄膜的关键功能性材料。全球高纯溅射靶材市场长期由日矿、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯四家日美企业控制,占据约80%半导体靶材份额。有研新材昌平基地靶材年产能3万块,德州新基地现年产能2万块,达产后整体年产能可达7.3万块。24H1公司先进制程用12英寸高纯钴靶通过验证并实现应用,12英寸高纯钽靶通过客户验证并批量应用,国产替代进程持续加速。
点击阅读报告原文: 金属新材料行业2025年度策略:材料赋能新质生产力-241226(30页)
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