2024年5月24日，国家大基金三期正式成立，注册资本3440亿元人民币，创下中国半导体产业基金单期规模之最。五矿证券最新报告指出，三期规模远超一期（987.2亿元）和二期（2041.5亿元）之和，首次引入国有六大行共同出资（持股33.14%），彰显国家对半导体产业链自主可控的坚定决心。投资方向从一期的“制造为主”、二期的“设备材料”，升级为三期的“AI+先进制程/封装/存储+卡脖子环节”。本报告基于五矿证券研究，深入分析大基金三期的投资重点与产业机遇。
大基金三期概况——3440亿，规模空前
国家大基金三期于2024年5月24日成立，注册资本3440亿元人民币，远超一期（987.2亿元）和二期（2041.5亿元）总和。首次由国有六大行（工商银行、农业银行、中国银行、建设银行、交通银行、邮储银行）共同出资，合计持股33.14%，体现了国家层面对半导体产业的高度重视。公告称，三期旨在引导社会资本加大对集成电路产业的多渠道融资支持，重点投向集成电路全产业链。
投资方向——AI+先进制程/封装/存储+卡脖子环节
大基金三期投资方向聚焦三大主线：一是持续攻坚半导体“卡脖子”关键环节，尤其是大型半导体设备、材料、零部件等；二是先进节点，尤其是AI相关领域——先进制程（7nm及以下）、先进封装（2.5D/3D堆叠、Chiplet）、先进存储（HBM、3D NAND）等；三是关注与AI算力密切相关的芯片设计、EDA工具、IP核等领域。相比一期聚焦制造、二期聚焦设备材料，三期的投资范围更广，目标更集中于提升中国半导体产业的全球竞争力。
材料端受益方向——光刻胶、前驱体、三代半
大基金三期对半导体材料的支持力度预计将显著增强。从国产化率角度看，以下材料环节最可能受益：高端光刻胶（国产化率<10%，ArF/EUV亟待突破）、前驱体/电子特气（先进制程用量倍增）、第三代半导体材料（SiC/GaN，新能源车+5G驱动）、先进封装材料（IC载板、塑封料、底填胶等）。大基金三期将通过直接股权投资、产业链协同、研发补贴等方式，支持材料企业加速产品验证和产线建设，推动国产化率快速提升。
投资启示——卡脖子环节优先受益
大基金三期的成立验证了国家对半导体产业链自主可控的持续承诺。投资方向上，卡脖子环节（光刻机零部件、高端光刻胶、前驱体、先进封装材料）有望优先获得资金支持；AI相关领域（HBM、Chiplet、先进制程）有望获得重点倾斜。建议关注大基金潜在投资标的及产业链协同企业：半导体材料（南大光电、晶瑞电材、安集科技、鼎龙股份）、半导体设备（北方华创、中微公司、拓荆科技）、先进封装（长电科技、通富微电、甬矽电子）等。
表5：国家大基金三期对比（一期/二期/三期）| 对比维度 | 大基金一期 | 大基金二期 | 大基金三期 |
|---|
| 成立时间 | 2014年9月 | 2019年10月 | 2024年5月 |
| 注册资本 | 987.2亿元 | 2041.5亿元 | 3440亿元 |
| 重点领域 | 制造领域为主 | 设备材料等上游 | AI先进制程/封装/存储+卡脖子 |
| 投资特点 | 投资48家企业，26家已IPO | 对外投资65个项目 | 六大行首次共同出资 |
