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存储行业周期复苏趋势

存储行业在经历2023年的深度调整后,正迎来新一轮上行周期。多家券商联合发布的存储行业深度报告指出,2023年存储市场规模触底922.88亿美元(同比-28.9%),WSTS预测2024年将大幅增长76.8%至1631.53亿美元,2025年预计增长25.2%至2042.81亿美元。SK海力士FY2024营收同比+102%并扭亏为盈,DRAM和NAND价格自2023年低点持续回升。本文从周期规律、价格变化、龙头业绩三个维度分析存储行业周期复苏的趋势与节奏。

存储行业周期特征:3-4年一轮,2023年触底2024年开启复苏

存储芯片具备大宗商品特性,标准化程度高、产品可替代性强、价格透明度高。供给端呈现寡头竞争格局(DRAM CR3达94.8%,NAND CR5约85%),产能规划相互跟随,放大了周期性扩产-去库存现象。基于2015-2023年WSTS数据,存储行业一轮价格周期约为3-4年。本轮周期在2023年触底,WSTS数据显示2023年存储市场规模仅922.88亿美元(同比-28.9%),是自2019年以来的最低点。2024年市场开始逐渐修复,WSTS预测2024年存储市场同比增长76.8%至1631.53亿美元,2025年预计增长25.2%至2042.81亿美元。存储行业波动性显著大于半导体行业整体水平,是半导体行业的风向标——逻辑芯片2024年预计增长10.7%至1976.56亿美元,存储增速是逻辑芯片的7倍以上。

价格走势:标准型DRAM触底反弹46.7%,利基型仍处底部

DRAM和NAND价格自2023年以来呈现显著分化。标准型DRAM(DDR5 16Gb)价格在2023年4月触底至3.17美元,而后回升至4.65美元(涨幅46.69%);2024年Q3受消费市场需求不及预期影响,阶段性回落至3.9美元(降幅16.13%)。进入2025年2月,渠道客户询单增加,DDR4 8GB-3200/16GB-3200均价分别为1.10/2.10美元,存储价格有微幅上涨迹象。利基型DRAM(DDR3/DDR4 4Gb)下游主要为消费/工业市场,当前价格仍处周期底部,较前低无明显涨幅。NAND Flash方面,2024年Q3产业营收达176亿美元(季增4.8%),企业级SSD价格季增近15%,消费级SSD小幅上涨,Wafer受零售需求疲软影响合约价反转下跌。TrendForce预测2025年下半年NAND Flash价格有望迎来回升。

龙头业绩验证:SK海力士24Q4营收同比+75%,美光扭亏为盈

存储原厂业绩验证了周期复苏的节奏。SK海力士FY2024实现营收66.19万亿韩元(同比+102%),净利润19.80万亿韩元(同比扭亏为盈);FY24Q4营收19.77万亿韩元(同比+75%,环比+12%),其中DRAM营收14.63万亿韩元(同比+99%),NAND营收4.74万亿韩元(同比+44.7%)。SK海力士预测大型科技公司AI服务器投资扩大,HBM和高容量服务器DRAM需求持续增长,搭载AI的PC和智能手机销售有望提升,下半年市场状况将有所改善。美光FY25Q1(2024年12月)营收87.09亿美元(同比+84.28%,环比+12.37%),净利润18.70亿美元同比扭亏为盈,毛利率持续改善。TrendForce数据显示2024Q3 DRAM产业营收260.2亿美元(季增13.6%),三大原厂合约价达成8%-13%涨幅,HBM持续挤压DRAM产能。

2025年展望:AI驱动复苏,存储市场有望突破2000亿美元

2025年存储市场有望在AI驱动下继续高增长。供给端,各NAND Flash原厂均采取坚决减产措施,缩减全年投产规模,SK海力士计划2024年底将DDR4产量占比从30%降至20%,三星已通知客户停产DDR3。需求端,AI服务器DRAM/NAND用量分别为传统服务器的8倍/3倍,英伟达Blackwell平台将采用192GB HBM3e存储器,企业级SSD需求强劲。端侧AI方面,群智咨询预测2025年AIPC渗透率逼近30%,Canalys预测2028年AI手机渗透率达54%。WSTS预测2025年存储市场规模有望达2042.81亿美元(同比+25.2%)。存储行业正从2023年的周期底部走出,AI驱动的结构性需求增长叠加供给端产能管控,行业有望进入新一轮上行通道。
存储行业市场规模与增速(WSTS数据)
年份存储市场规模(亿美元)同比增速
2023922.88-28.9%
2024E1631.53+76.8%
2025E2042.81+25.2%
点击阅读报告原文: 存储行业深度:市场空间、供求分析、国产替代及相关公司深度梳理-250310(27页)
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