财通证券半导体供应链报告指出，存储器市场在经历了2023年下半年至2024年上半年的价格反弹后，复苏进程暂时放缓。Trendforce预计4Q2024常规型DRAM价格涨幅仅为0-5%，含HBM的DRAM整体涨幅8-13%，涨幅明显收敛；NAND Flash产品合约价则可能下跌3-8%，Wafer价格跌幅或扩大至10%以上。消费终端需求疲软、库存水平较高是价格承压的主因，AI服务器驱动的HBM是存储器市场唯一的“量价齐升”细分，SK海力士3Q24 HBM收入环比+70%、同比+330%，占DRAM收入30%。
供需格局：消费需求疲软叠加库存偏高，Q4“旺季不旺”
存储器市场在Q3与Q4季度面临“旺季不旺”的艰难局面。需求端，消费型产品终端需求持续疲软，厂商积极推出AI PC但AI实用性不足，未出现明显换机潮。第四季国产新机、iPhone 16系列发布为市场注入新动能，但需求方为避免库存再度过高，采取更谨慎的备货策略。支撑存储器市场的主要力量是AI服务器，但其OEM厂商也开始采取观望态度。
供给端，多家NAND Flash芯片原厂的稼动率于第三季恢复满载，供应商推动制程升级，产能小幅增加。移动端LPDDR4X DRAM因供应商大量增加产能导致供给过剩。存储厂商在2023年下半年至2024年上半年通过减产拉涨价格后，2024年下半年产能回升对价格施加压力。三星、SK海力士、美光正积极考虑新的减产计划以稳定价格。
台湾存储芯片企业受消费电子存储需求放缓影响更大。南亚科9月营收同比-5.12%，为连续五个季度增长后首次衰退。公司表示中国大陆消费性电子需求疲弱，部分厂商加快出货，下游客户看淡需求与价格后市。存储器市场短期仍面临需求不振与库存消化的双重压力。
价格预测：Q4 DRAM涨幅收敛，NAND由涨转跌
Trendforce对4Q2024存储器价格的预测反映了市场的谨慎预期。DRAM方面，常规型DRAM（PC/Server/Mobile/Graphics/Consumer）价格涨幅在0%至5%之间；包含HBM在内的DRAM整体平均价格上涨幅度估计为8%至13%（HBM渗透率约7%），涨幅较Q3的10-15%明显收敛。PC DRAM DDR4/DDR5基本持平，Server DDR4持平/DDR5上涨3-8%，Mobile LPDDR4X下滑5-10%，Consumer DDR3下滑0-5%。
NAND Flash方面，产品整体合约价或将出现季减3%至8%的情况。eMMC/UFS下滑8-13%，Client SSD下滑5-10%，Enterprise SSD上涨0-5%（AI服务器需求支撑），3D NAND Wafer（TLC & QLC）下滑10-15%。NAND的Wafer合约价已在Q3率先下跌，Q4跌幅或将扩大至10%以上。
与合约价相比，现货价格更直观反映市场变化。CFM闪存网DRAM和NAND价格指数近期持续下行。PC端低端市场竞争激烈，DRAM内存条需求较弱，SSD PCIe 4.0价格下滑；移动端LPDDR4X和eMMC产品价格持续下跌。若消费端需求未明显好转，嵌入式存储产品价格恐继续下行。
HBM：存储器市场唯一高增细分，海力士领跑
在常规存储器价格承压的背景下，HBM（高带宽存储器）是唯一的“量价齐升”细分。SK海力士3Q2024 HBM业务收入环比增长超过70%，同比增长330%，占DRAM整体收入30%，4Q2024季度有望达到40%。公司Q3季度营收17.57万亿韩元（同比+94%，历史最高），营业利润7.03万亿韩元（环比+29%，上年同期亏损1.79万亿），净利润5.75万亿韩元（环比+40%）。HBM的高附加值显著提升了公司整体盈利能力。
三星在HBM领域进展缓慢，是拖累其半导体业务的主要原因。三星Q3半导体业务经营利润3.86万亿韩元（环比-40%），存储业务营收22.27万亿韩元（同比+112%，环比+2%），增速远低于SK海力士。三星HBM3E产品虽已宣布量产，但客户验证进度晚于海力士，在英伟达供应链中的份额较低。
展望2025年，AI芯片需求持续旺盛将推动HBM市场延续高增长。Trendforce预计2025年DRAM市场规模达1365亿美元（+51%），HBM占比将持续提升。SK海力士、三星、美光三大厂商均积极扩产HBM产能，2025年HBM位元供给量有望实现翻倍增长。HBM的崛起不仅改变了存储器市场的产品结构，也重塑了竞争格局——拥有先进堆叠技术和散热方案的海力士暂居领先地位。
表：4Q2024存储器价格预测对比| 产品类别 | 3Q2024实际 | 4Q2024预测 |
|---|
| PC DRAM（DDR4/DDR5） | 上涨8-13% | 基本持平 |
| Server DRAM（DDR5） | 上涨13-18% | 上涨3-8% |
| Mobile LPDDR4X | 基本持平 | 下滑5-10% |
| 常规DRAM整体 | 上涨8-13% | 上涨0-5% |
| 含HBM DRAM整体 | 上涨10-15% | 上涨8-13% |
| NAND Flash整体 | 上涨5-10% | 下滑3-8% |
| NAND Wafer | 下滑3-8% | 下滑10-15% |
