华兴证券2024年12月半导体行业报告基于中国海关数据，系统分析了2024年前10个月中国从美国、日本、荷兰、韩国、新加坡及台湾省进口半导体设备的金额变化。报告发现，在美国及盟国颁布限制措施后，中国从美国、荷兰进口的部分设备金额出现明显下跌，相应地中国将相关设备的进口方向转向了日本和新加坡等国【1†L1-L12】。本文基于海关数据进行详细拆解。
总体进口规模：10M24从六地进口超1,600亿元
10M23和10M24期间，中国从美国进口的设备总金额分别达到220亿元和280亿元，同比增长27%【9†L1-L8】。从日本进口的设备总金额分别达到403亿元和524亿元，同比增长30%【11†L1-L8】。从荷兰进口的设备总金额分别达到379亿元和533亿元，同比增长41%【13†L1-L8】。
从韩国进口的设备总金额分别达到97亿元和108亿元，同比增长12%【14†L1-L8】。从新加坡进口的设备总金额分别达到294亿元和340亿元，同比增长15%【15†L1-L8】。从台湾省购入的设备总金额分别达到57亿元和76亿元，同比增长33%【16†L1-L8】。六地合计进口金额从约1,450亿元增长至约1,661亿元，整体保持增长态势。
美荷受限品类大幅下滑，薄膜沉积与光刻机领跌
10M24期间，中国从美国进口的薄膜沉积设备金额1.8亿元，同比下跌84%，由进口设备数量及均价同比下跌导致（分别同比下跌72%及超40%）【9†L1-L8】。化学气相沉积设备21.6亿元，同比下跌13%，设备数量同比下跌28%【9†L1-L8】。
从荷兰进口的分步重复光刻机14.3亿元，同比下跌83%，由设备数量和均价下跌导致（进口设备数量同比下跌55%，均价同比下跌62%）【13†L1-L8】。检测光掩模及光栅用的光学仪器0.61亿元，同比下跌61%【13†L1-L8】。美荷受限品类的大幅下滑直接反映出口管制政策的落地效果。
日新替代来源大幅增长，刻蚀与沉积设备成主力
10M24期间，中国从日本进口的刻蚀机112.4亿元，同比上涨36%，由进口设备数量和均价上涨驱动（设备数量同比上涨15%，均价同比上涨19%）【11†L1-L8】。其他制半导体器件或集成电路用的机器装置199.4亿元，同比上涨71%，由数量和均价上涨共同驱动（进口设备数量同比上涨3%，均价同比上涨66%）【11†L1-L8】。化学气相沉积33.9亿元，同比上涨44%【11†L1-L8】。
从新加坡进口的物理气相沉积69.7亿元，同比上涨56%，由进口设备数量和均价提升共同导致（进口设备数量同比上涨29%，均价同比上涨21%）【15†L1-L8】。化学气相沉积173.3亿元，同比上涨12%【15†L1-L8】。离子注入177亿元，同比上涨34%【15†L1-L8】。
表3：10M24中国从主要地区进口半导体设备总金额| 来源地 | 10M23（亿元） | 10M24（亿元） | 同比变化 |
|---|
| 美国 | 220 | 280 | +27% |
| 日本 | 403 | 524 | +30% |
| 荷兰 | 379 | 533 | +41% |
| 韩国 | 97 | 108 | +12% |
| 新加坡 | 294 | 340 | +15% |
| 台湾省 | 57 | 76 | +33% |
韩台设备进口结构性变化，离子注入与刻蚀分化明显
10M24期间，中国从韩国进口的化学气相沉积44.8亿元，同比上涨43%；薄膜沉积5.4亿元，同比上涨349%；离子注入机10.3亿元，同比上涨36%【14†L1-L8】。但氧气扩散设备26.1亿元，同比下跌23%；等离子体干法刻蚀同比下跌19%【14†L1-L8】。
从台湾省购入的等离子体干法刻蚀机51.4亿元，同比上涨33%，由设备和均价上涨导致（进口设备数量同比上涨15%，均价同比上涨15%）【17†L1-L6】。但离子注入机金额跌至0，同比下跌100%【16†L1-L8】。其他刻蚀及剥离设备2.3亿元，同比下跌16%【16†L1-L8】。
