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半导体材料自主可控

方正证券2025年新材料行业策略报告指出,半导体制造自主可控正推动材料端国产替代加速。报告数据显示,2022年全球光刻胶市场规模101.6亿美元,半导体光刻胶被JSR、东京应化、信越等垄断。HBM营收规模预计2025年达49.76亿美元,增长率148.2%,Low-α射线球形氧化铝是HBM封装关键填料。电子级超纯水市场近40亿美元,均粒树脂被美国陶氏、英国漂莱特、日本三菱垄断。半导体材料自主可控势在必行,国产替代迎来历史机遇。

光刻胶——关键卡脖子材料突破在即

光刻胶是半导体制造核心耗材,全球市场稳步增长。方正证券报告显示,2022年全球光刻胶市场规模101.6亿美元,同比增长6.4%。我国光刻胶市场2023年约121亿元,预计2029年突破200亿元,CAGR 8.73%。半导体光刻胶技术含量最高,被JSR、东京应化、信越等国际巨头垄断,国产化率极低。

美国对华半导体制裁升级加速国产替代。2022年10月BIS公布对华先进计算和半导体制造出口管制,2023年荷兰、日本加入制裁。国家层面连续出台扶持政策,光刻胶被列为重点新材料,生产企业可享受税收优惠。

彤程新材是国内半导体光刻胶龙头企业。G线光刻胶占据国内较大市场份额,I线光刻胶接近国际先进水平,KrF产品在多工艺市占率持续攀升。2023年11月已完成ArF光刻胶部分型号开发,具备量产能力。光刻胶树脂方面,已实现TFT-LCD Array half-tone光刻胶酚醛树脂批量生产,KrF成膜树脂实现关键性突破。

HBM封装——Low-α球铝国产替代

HBM高性能存储器需求爆发。方正证券报告指出,HBM在高性能计算、AI、数据中心等领域应用前景广阔,2023年全球HBM营收约20.05亿美元,预计2025年达49.76亿美元,增长率148.2%。SK海力士占50%份额、三星40%、美光10%。

Low-α射线球形氧化铝是HBM封装不可替代的关键填料。Low-α球铝需将放射性元素U和Th降至ppb级别,技术壁垒极高,工艺难度大,生产设备需自研。全球市场被日本企业主导,日本雅都玛为代表性企业。

联瑞新材打破国外技术封锁。方正证券报告指出,联瑞新材已量产配套供应HBM所用的多种规格低CUT点Low-α球硅和球铝,产品返销日韩等国知名企业。公司持续推出多种规格低CUT点Low-α微米/亚微米球形硅微粉、球形氧化铝粉产品,充分受益于HBM封装市场高速发展和材料端国产替代机遇。

超纯水树脂——均粒技术打破垄断

电子级超纯水是半导体制造关键耗材。方正证券报告显示,每生产一片集成块需消耗超纯水3-5升,6英寸晶片需1.2吨。2022年全球电子级超纯水市场规模近40亿美元。均粒树脂是超纯水制备核心材料,技术壁垒高、认证周期长。

全球市场被三家企业垄断。美国陶氏、英国漂莱特、日本三菱合计占据全球电子级超纯水用均粒树脂近九成份额。我国市场参与者较少,高度依赖进口。

蓝晓科技自主研发喷射法均粒技术打破垄断。公司已形成均粒核级树脂、电子级阴阳树脂、抛光混床等数十个品种,产品性能达到国际标准。2024H1完成了电子级均粒树脂在存储等芯片制造企业测试或上线运行,性能指标全面满足芯片级制造严格要求。面板业务持续增加,参与并推动国内面板企业树脂国产化进程,市场占有率进一步提升。报告建议关注彤程新材、雅克科技、圣泉集团、东材科技、联瑞新材、蓝晓科技等核心标的。
表3:半导体材料国产替代关键领域
细分领域市场规模海外垄断格局国内代表企业
半导体光刻胶2022年101.6亿美元(全球)JSR、东京应化、信越彤程新材、南大光电
Low-α球铝(HBM封装)2025年HBM 49.76亿美元日本雅都玛等联瑞新材、壹石通
电子级超纯水均粒树脂2022年近40亿美元陶氏、漂莱特、三菱蓝晓科技、争光股份
高频高速树脂2023年34.03亿美元SABIC、旭化成等圣泉集团、东材科技
点击阅读报告原文: 非金属新材料行业年度行业策略报告:聚焦国产替代核心主线材料突破引领产业变革-241227(65页)
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