英特尔正在重新定义芯片封装的边界。2023年9月，英特尔推出了基于下一代先进封装技术的玻璃基板，并计划在2026至2030年间实现大规模量产。这一技术突破将TGV通孔间距控制在100μm以内，通孔密度提升约10倍，为数据中心、人工智能和图形处理提供突破性解决方案。三星、AMD、苹果、台积电等巨头纷纷跟进，玻璃基板正从实验室走向产业化。华创证券研究所深度报告系统梳理了玻璃基板在半导体封装领域的应用前景与投资机遇。
英特尔玻璃基板技术突破，重新定义芯片封装边界
2023年9月，英特尔率先推出了基于下一代先进封装技术的玻璃基板，并计划在2026至2030年间实现大规模量产。在此项创新中，英特尔突破性地将玻璃通孔TGV的间距控制在100μm以内，显著增加了每块基板上的通孔数量，提升了TGV密度约10倍。
这一技术进展有效缩小了机械和电气连接之间的间隙，提升了基板核心路由信号的灵活性，并在一定程度上减少了对重新分布层RDL的依赖，使信号路由更加高效。英特尔表示，该技术将重新定义芯片封装的边界，为数据中心、人工智能和图形处理提供具有突破性的解决方案，推动摩尔定律的进一步发展。
表2：全球主要科技巨头玻璃基板布局时间线| 企业 | 玻璃基板布局 | 预计量产时间 |
|---|
| 英特尔 | 推出玻璃基板，TGV间距<100μm | 2026-2030年 |
| 三星 | 组建联盟共同开发玻璃基板 | 2026年 |
| AMD | 产品中导入玻璃基板 | 2025-2026年 |
| 三星电机 | 开发半导体封装玻璃基板 | 2026年后 |
| SK Absolics | 建设月产4000块玻璃基板工厂 | 2024年下半年 |
| 台积电 | 进军FOPLP，投资玻璃基板研发 | 研发阶段 |
玻璃基板如何助力AI芯片封装——CoWoS与CPO的新路径
CoWoS为AI芯片重要封装形式。台积电的CoWoS封装技术通过在中介层上集成多个芯片，提供了较高的带宽和较低的功耗，成为AI处理器和高性能计算芯片的主流封装技术。随着英伟达GPU等AI芯片订单需求旺盛，台积电不断扩充CoWoS产能。
但CoWoS技术也面临诸多挑战。首先是对中介层的使用使得CoWoS的产能有限并导致价格昂贵。其次，硅中介层的热管理能力和电气性能在高密度集成和高速信号传输的应用中面临挑战，尤其是在AI芯片不断推向更高性能的背景下。玻璃基板低功耗、散热性能优异等特点有望替代硅中介层和载板。
玻璃基板还可应用于光模块CPO封装工艺中，用来解决CPO中光电信号互联的难题。光电共封装CPO是将交换芯片和光引擎共同装配在同一个插槽上，具有低延迟、低功耗、高带宽等优势。相比于硅基材料，玻璃的弹性模量更大、硬度更大，热膨胀系数也可以与Si和PCB匹配，能够显著提升CPO的技术优势。目前包括Corning在内的众多全球玻璃基板制造商聚焦于CPO领域，推出CPO玻璃基板解决方案。
从FC-BGA到玻璃基板，封装基板的代际升级
IC载板是半导体封装中不可或缺的关键基材，主要用于支撑和连接集成电路芯片与外部电路之间的电气互联。根据SEMI数据，2022年封装基板占封装材料市场比重达58%。全球载板市场2023年规模143.3亿美元，2024年有望达151.4亿美元，受先进封装驱动2032年有望达235亿美元。
伴随市场对更高计算能力的需求不断增加，半导体电路愈加复杂，对信号传输速度、功率传输效率、设计规则以及封装基板的稳定性提出了更高要求。传统的有机基板逐渐显现出其局限性，粗糙表面、容易翘曲以及在高温下的稳定性差，限制了其在超精细电路和高频应用中的表现。
根据英特尔的预期，玻璃基板能够支持更高性能的多芯片系统级封装SiP，相比传统的ABF塑料基板，玻璃基板的厚度可以减少约50%。这种减薄不仅有助于提高封装的紧凑度，还能显著提升信号传输速度和功率效率。由于玻璃基板具备出色的电气和热性能，它能够支持更高密度的互连和更复杂的电路设计，玻璃基板与其相关应用的封装技术有望在未来取代FC-BGA基板。
投资逻辑与受益标的
英特尔玻璃基板量产计划的推进标志着半导体封装技术进入新阶段。从竞争格局来看，欣兴、南亚、揖斐电、三星电机、新光电气等占据载板市场领先地位，中国大陆厂商竞争力较弱。伴随玻璃基板渗透，大陆厂商凭借前瞻布局与技术积累有望弯道超车。
建议关注玻璃基板产业链相关标的：沃格光电（国内玻璃基板龙头，TGV技术行业领先）、京东方（发布玻璃基面板级封装载板，布局先进封装）、兴森科技（玻璃基板研发项目有序推进，已成功研制出样品）、大族激光（TGV激光设备供应商）、天承科技（玻璃基板加工材料，持续加码TGV技术研发）。
