HBM（高带宽内存）正成为存储芯片市场增长的核心驱动力。据TrendForce数据，SK海力士以52.5%的全球HBM市场份额领先，三星电子42.4%、美光5.1%。HBM3e已成功集成至英伟达H200/B200 GPU和AMD MI325X GPU，HBM4的研发和交付正在加速——SK海力士应英伟达要求将交付时间提前六个月。招银国际在半导体2025年度展望中指出，受益于HBM需求持续攀升，DRAM平均价格预计2024年上涨53%、2025年上涨35%，存储芯片市场2025年将增长13%至1,890亿美元。
HBM驱动DRAM市场量价齐升——2024+53%、2025+35%
传统存储芯片市场近年来持续受到需求疲软影响，但生成式AI的迅猛发展正成为驱动行业复苏的关键动力。尤其是对HBM芯片需求的激增，正在从根本上重塑DRAM市场的供需格局。
根据TrendForce预测，受益于对HBM芯片需求的持续攀升，DRAM芯片的平均价格预计在2024年和2025年分别上涨53%和35%。DRAM市场规模预计在2024年增长75%至907亿美元，2025年再增长51%至1,365亿美元。
HBM在DRAM总销售额中的占比正在快速提升。SK海力士披露，2024年三季度HBM在DRAM总销售额中的占比约为30%，预计四季度将进一步提升至40%。HBM的高单价（约为传统DRAM的3-5倍）是推动整体ASP上升的核心因素。
HBM市场竞争格局——SK海力士领先，三星追赶
全球HBM市场由三家公司主导。SK海力士以52.5%的市场份额领先，三星电子42.4%、美光5.1%。SK海力士在2024年三季度HBM销售额环比大幅增长超过70%、同比增长330%。
SK海力士的领先地位得益于其与英伟达的深度战略合作。据路透社报道，英伟达已要求SK海力士加快HBM4芯片的交付时间。SK海力士原计划在2025年下半年发货，但目前已将交付时间提前六个月，以满足英伟达的紧迫需求。
三星电子预计将在与亚马逊在Trainium 2芯片上的合作，以及来自英伟达的批量订单的推动下进一步追赶对手SK海力士。美光虽然市场份额较小，但在HBM3e领域也有布局，正积极争取客户订单。
从技术路线图看，HBM3e已逐步集成到英伟达H200/B200 GPU和AMD MI325X等产品中。业界玩家已开始为预计于2025年推出的HBM4积极筹备。英伟达的Rubin平台将搭载HBM4，HBM4凭借更高的容量、带宽以及卓越的能效性能，有望重新定义下一代高性能存储解决方案。
存储芯片市场全面复苏——2025年NAND市场将增长56%
除DRAM外，NAND闪存市场也正迎来强劲复苏。据SEMI预测，NAND制造设备支出预计在2024年保持稳定，但将在2025年实现56%的大幅增长，需求有望在2024年底出现反弹。
2024年全球存储芯片市场销售额预计达到1,670亿美元，同比增长81%，2025年将进一步增长至1,890亿美元，同比增长13%（据WSTS）。尽管传统存储芯片市场在2023年经历了深度调整，但生成式AI的迅猛发展正在驱动行业进入新一轮上升周期。
全球NAND市场由三星电子、SK海力士、铠侠、西部数据、美光等主导。SK海力士在最新业绩中表示，HBM强劲的高端产品销售带动DRAM和NAND的平均售价均实现约15%的增长。
全球HBM市场竞争格局与DRAM市场预测
表：全球HBM市场竞争格局与DRAM市场预测| 指标 | 2023年 | 2024E | 2025E | 变化趋势 |
|---|
| HBM市场份额（SK海力士） | 约50% | 52.5% | 持续领先 | ↑ |
| HBM市场份额（三星电子） | 约38% | 42.4% | 追赶中 | ↑ |
| DRAM ASP同比变化 | 下降 | +53% | +35% | ↑↑ |
| DRAM市场规模（亿美元） | 约518 | 907 | 1,365 | ↑↑ |
| 存储芯片市场规模（亿美元） | 约920 | 1,670 | 1,890 | ↑↑ |
| HBM在DRAM中占比（SK海力士） | 约10% | Q4达40% | 持续提升 | ↑↑ |
