存储厂商资本支出及Wafer产量变化
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在技术路线上，NAND 将继续朝更高堆叠发展，2025 年将进入 300 层以上的时代，同时混合键合技术已经成为 NAND Flash 重要的技术发展方向，存储原厂持续通过优化技术架构和材料，克服超高层 NAND Flash 的量产挑战。在 DRAM 方面，2025 年更会看到在 1c、1γ 这些 DRAM 制程上的演进。
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