与传统分立设计相比，DrMOS效率高达95%，且能减少功耗、降低温度
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DrMOS 将 2 个功率 MOSFET 和 driver IC 集成在一个芯片中，采用芯片封装工艺，在内部优化功率回路和驱动回路，可以最大程度减少寄生电感和电容影响；另外，系统整体尺寸进一步降低，功率密度大幅度提高，满足高端主板更严苛超频工作，提升整体效率。DrMOS内部增加电流和工作温度检测功能，电流和工作温度信号输出给 PWM 控制器或 CPU/DSP（数字控制器），不但可以进行系统控制和反馈调节，还可以保护功率器件安全工作，提高系统可靠性。
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