英特尔采用背面供电技术路径，形成了“三明治”结构
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另外，背面供电工艺将电源线移动到芯片“背面”的方法，使芯片“正面”专注于互连，英特尔背面供电方案 IR 降低了 30%，每个核心单元的性能提高了 6%。随着芯片性能要求越来越高，晶体管越来越小，所需提供电流的互连越来越紧密，线路和过孔的进一步拓展也将导致更高的电阻和布线拥塞。英特尔“背面供电”方案将电源线移动到芯片“背面”，从而使芯片“正面”专注于互连。当能量流过电线时，电阻会随着电线变得越来越小而增加。英特尔 PowerVia 方案 IR 降低了 30%，而每个核心单元的电能利用率提高了 6%。
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