➢ 合肥长鑫:与 NAND通过 3D化推动发展不同,DRAM 领域仍在进行制程竞争,通过微缩制程提高存储密度,目前国际巨头应用较为广泛的是 1Xnm 以及 2Xnm 制程。合肥长鑫于 2016 年成立,已成为内资 DRAM 芯片 IDM 代表,2018 年投产第一座 12 英寸晶圆厂,2019 年量产标准型 DRAM 芯片,技术节点达到 19nm,成为全球第四家量产 20nm以下 DRAM 的厂商,2021 年将技术节点推升至 17nm 工艺。当前公司产能超过 20 万片/月,未来规划提升至 30 万片/月。