2.5D/3D 先进封装突破亚微米级 Pitch,是突破算力墙的重要路径。进入 32nm 以下直至 3nm 先进节点,传统单片 SoC 在面积、功耗和良率上的约束显著放大,封装技术由此迈入以 2.5D 与 3D 为核心的先进封装时代。技术重点转向 TSV、硅中介层、Fan-Out WLP 及 Hybrid Bonding,Pitch 进入亚微米时代,万级 I/O 规模的超高密度互连成为现实。Chiplet 架构与 HBM 高带宽存储成为 AI 与数据中心的关键支撑,CoWoS、Foveros 等平台推动封装由工艺配套升级为系统设计核心。数据显示,Hybrid Bond W2W 工艺正从 2 微米向 2027 年预期的 0.5 微米以下极速演进,RDL 线宽线距逼近 2 微米极限。