玻璃等单一衬底上直接集成电容、电感等无源器件,广泛应用于高频/射频电路、电源管理等领域。其优势在于:采用半导体工艺,加工精度高,高频下介质损耗低,能获得高 Q 值电感电容,一致性好;还适合定制化需求,可与有源器件共同封装LTCC 的电容依赖多层陶瓷的物理堆叠,而电感则受限于传统印刷和烧结等厚膜工艺,线宽一般在 50um-100um,而 IPD 采用半导体光刻和薄膜工艺,可以利用薄膜材料(如氮化硅)的高介电常数特性,在较小面积内实现较大电容值,而电感线宽一般在 10um,并且 IPD 也可以通过多层金属堆叠(如 RDL),减少平面占用面积,因此在一些应用下(如 N77/N79 频段)可以做到和 LTCC 相当甚至更小的面积。劣势是 LTCC 陶瓷散热会更好,大功率场景更有优势;成熟产品,LTCC 大规模生产成本更低。