图表31HBM520hi后产品将采用混合键合技术

为先进封装技术之一，将不同功能的芯片（如逻辑、存储、传感器等）通过垂直互联 技术（如 TSV 硅通孔）层叠封装，形成立体结构的集成电路，在空间效率、性能和功 耗方面提供了显著的改进。作为 3D IC 技术的重要核心部分，当前，混合键合技术被 应用于台积电的 SoIC 技术、英特尔的 Foveros 等先进封装技术方案中。根据 Trendforce 预测，三大 HBM 原厂正在考虑是否于 HBM4 16hi 采用 Hybrid Bonding，并已确定将