图表4ASML浸没式扫描光刻机TWINSCAN1980Di及投影系统光路示意
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ASML光刻机销量(台)
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随产品持续迭代,24年ASML光刻机均价有所提升(单位:百万欧元)
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光刻是利用光化学反应原理,将掩模版上的电路图形转印到硅片衬底上的过程。该过程通常包括涂胶、曝光和显影三大环节:首先在硅片表面旋涂一层光刻胶,并经过预烘提高附着力;随后在光刻机内将掩模图案与晶圆对准,光源经投影光学系统聚焦到光刻胶层,使曝光区域发生光化学反应并改变其溶解性能;最后在显影液作用下去除指定区域的光刻胶,形成所需的图案轮廓。所得光刻胶结构将作为抗蚀层,用于指导后续刻蚀、离子注入等工序。
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