lnP、SiC、GaN等材料的特性参数对比
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2025年后GaN功率器件有望持续渗透（单位：百万
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到2030年应用于800VHVDC数据中心供电系统的SiC/GaN市场规模可达27亿美元
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磷化铟、 砷化镓、氮化镓因具有高功率密度、低能耗、适合高频率、支持宽带宽等特点，是实现5G 的关键材料。常见的半导体材料以物理性能区分可划分为三代，其中第一代半导体以 Si、Ge为代表，第二代半导体以GaAs、InP为代表，第三代半导体以GaN、SiC为代表。在高频、高功耗、高压、高温等特殊应用领域，III-V 族化合物半导体材料以及宽禁带化合物半导体材料作为衬底有独特的优势。因此我们预计 5G 时代也将带来以 InP（磷化铟）、GaAs（砷化镓）、GaN（氮化镓）为代表的第二、三代半导体材料的需求倍增。
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