电子行业：深度剖析HBM千亿蓝海AI算力激战下供需新格局-250821（55页）.pdf

1、证券研究报告行业专题报告评级：强于大市长城证券产业金融研究院科技首席分析师：唐泓翼执业证书编号：S1070521120001科技分析师：周安琪执业证书编号：S10705250300012025年08月21日深度剖析深度剖析HBM千亿蓝海，千亿蓝海，AI算力激战下供需新格局算力激战下供需新格局需求侧需求侧1：AI服务器存储量价齐升，服务器存储量价齐升，AI算力催化算力催化HBM需求激增需求激增行业规律：每投资行业规律：每投资1美金算力美金算力对应投资对应投资 0.5美金存储美金存储 Yole预计预计26年全球年全球HBM市场规模将达市场规模将达460亿美元，占亿美元，占DRAM市场比重达市场比重

2、达35%，CAGR(2430)将达将达33%产业周期：存储周期通常为产业周期：存储周期通常为3 3-4 4年，是半导体风向标年，是半导体风向标一张图看懂存储一张图看懂存储AI助推需求高增长，半导体存储涨价周期延续上行助推需求高增长，半导体存储涨价周期延续上行791亿美元亿美元存储器存储器分类：光学分类：光学+磁性磁性+半导体半导体DRAM/NAND Flash存储市场呈现海外寡头垄断格局，存储市场呈现海外寡头垄断格局，CR3/CR5高达高达95+%DRAM:CR3达达97%供给侧：各原厂积极扩产供给侧：各原厂积极扩产HBM，25年资本开支预计高于原计划年资本开支预计高于原计划需求侧需求侧2：单

3、机平均存储容量翻：单机平均存储容量翻2/4倍，将带动总需求数倍增长倍，将带动总需求数倍增长AI手机手机/AI PC对存储需求升级对存储需求升级单机平均容量翻单机平均容量翻2/4倍倍+移动终端出货量稳定移动终端出货量稳定总存储容量需求数倍增长总存储容量需求数倍增长半导体存储关键技术进展：半导体存储关键技术进展：NAND+DRAM刻蚀设备刻蚀设备薄膜沉积设备薄膜沉积设备中国大陆中国大陆光刻机光刻机中国大陆中国大陆存储晶圆存储晶圆中国大陆中国大陆存储芯片设计存储芯片设计中国大陆中国大陆存储模组存储模组中国大陆中国大陆主控芯片主控芯片中国大陆中国大陆封装测试封装测试中国大陆中国大陆境外境外(含港澳台含

4、港澳台)中国大陆中国大陆LamTELAMAT北方华创北方华创中微公司中微公司拓荆科技拓荆科技北方华创北方华创TEL应用材料应用材料华卓精科华卓精科ASML尼康尼康佳能佳能长江存储长江存储长鑫存储长鑫存储美光美光三星三星SK海力士海力士三星三星铠侠铠侠SK海力士海力士江波龙江波龙佰维存储佰维存储德明利德明利朗科科技朗科科技Kingston联芸科技联芸科技得一微得一微Marvell慧荣科技慧荣科技深科技深科技华天科技华天科技长电科技长电科技通富微电通富微电日月光日月光存储原厂存储原厂2024年年(扩产扩产/提高投资提高投资)2025年年(进一步扩产进一步扩产/提高投资提高投资)铠侠3月NAND F

5、lash产能利用率恢复至90%计划将资本支出控制在营收的20%以内，计划通过扩大其四日市工厂和北上工厂的生产线，在五年内(2024-2029财年)将产能翻一番西部数据/闪迪2024年继续严格控制资本开支公司总体目标是尽可能实现100%的产能利用率美光2024财年资本支出81亿美元(高于此前规划)，同比略增，主要支持HBM3E扩产2025财年资本支出计划保持不变，约为140亿美元(同比+73%)，其中大部分将用于支持HBM，以及设施建设、后端制造和研发投资SK海力士为满足HBM扩产和M15X的新投资决定，2024年资本支出约18万亿韩元，较年初计划略有增加将2025年资本支出上调30%至203亿

6、美元(高于原计划的154亿美元)，其中大部分将用于HBM生产三星将超过20%的DRAM生产线转换为HBM生产线，2024年资本开支为53.6万亿韩元已在平泽P4园区启动首条1c DRAM量产线并追加投资，预计将达到每月4万片晶圆产能；并计划将华城17号线转换为1c产能，1c制程计划将用于HBM4生产公公司司分分类类产产业业链链及及产产业业周周期期行行业业概概况况兆易创新兆易创新北京君正北京君正东芯股份东芯股份普冉股份普冉股份数据来源：IDC，WSTS，Omdia，Counterpoint，Statista，Yole，Gartner，ScienceDirect，TechInsights，Appl