半导体智库:2023年第三代半导体的发展变迁与最佳实践报告(18页).pdf
1、第三代半导体的发展变迁与最佳实践吴全(半导体全哥)HHSSCC半导体智库&华芯金通半导体资本北京大学光华楼2023年12月9日12感谢东电的这张优秀的元素周期表何为第三代半导体3第一代第二代第三代元素半导体&化合物半导体SiC:3.2evGaN:3.4ev基板:同质与异质指标参数硅砷化镓碳化硅氮化镓禁带宽度eV1.121.433.23.4饱和电子漂移速率(107cm/s)1.01.02.02.5热导率(Wcm-1k-1)1.50.544.01.3击穿电场强度(MV/cm)0.30.43.53.3第三代,与第一代,第二代并不完全N-GEN关系,互补共存。历史自1824年J.J.Berzelius
2、首次发现SiC材料后,至今已200年历史。SiC材料走出实验室始于CREE(现Wolfspeed)开展SiC 商用生产线,SiC材料呈现加速成长趋势。4萌芽期培育期发展期来源:亿渡数据,HSC分析特性与应用(异同与所长):市场规模:全球百亿美金和中国百亿人民币。高电压、高频率、高功率、高温度,高光效半导体照明、5G通信、卫星通信、光通信、电力电子、新能源汽车、轨道交通、雷达航空航天等领域也许没如期5来源:英飞凌,HSC分析6来源:纳微,HSC分析渗透率,以BEV EVE为例7EV中碳化硅的价值规模主机厂投资规模扩张BEV和碳化硅渗透率逆变器和OBC比重来源:WS,HSC分析结构8原料(10%)
3、衬底(26%)工具外延(23%)器件(20%)模块与方案应用与运营高纯度碳粉高纯度硅粉长晶炉::自与采碳化硅粉-晶锭-晶棒-晶片-衬底切磨抛装备和表征设备线耗材作业结构成本结构来源:HSC分析设计制造封测模式:一体化日本nuflare德国AITRON意大利LPE13所天岳先进天科合达北方华创中微公司晶盛机电半绝缘型导电型2-4-6-8寸(*2.25-*1.78)良率:50-85-氮化镓外延碳化硅外延射频器件功率器件SBD-MOS-IGBT5G通信、航空航天、国防等电动汽车、新能源设备(8%)日本龙森电化新日铁雅都玛联瑞新材飞凯材料雅克科技Wolfspeed二六天岳先进天科合达烁科同光东尼Wol





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