2024先进封装工艺、市场规模、国产渗透率及产业链受益标的分析报告（37页）.pdf

1、2023 年深度行业分析研究报告 内容目录内容目录 1、先进封装：后摩尔时代的发展基石.5 1.1、半导体封装技术：由传统向先进持续迭代.5 1.2、后摩尔时代，先进封装已成为提升芯片性能的关键环节.6 1.3、封装市场空间：国内先进封装渗透率低，行业发展带动产值快速提升.8 1.4、先进封装竞争格局：OSAT 头部集中，IDM+Foundry 开拓新工艺.9 2、先进封装工艺：提升系统功能密度为重要发展目标.11 2.1、先进封装关键互连工艺技术.12 2.1.1、凸块（Bumping）：多种先进封装形式的基础工艺.12 2.1.2、重布线层（RDL）：芯片电气延伸与互连的桥梁.14 2.1

2、.3、硅通孔（TSV）：立体集成工艺的核心关键.15 2.1.4、混合键合：缩小 Bump pitch 间距，扩大互连带宽.18 2.2、单芯片封装：提升芯片占封装面积比例.21 2.2.1、倒装芯片（Flip Chip）：简化引线键合，提升传输速度.21 2.2.2、晶圆级芯片封装（WLP）：拓展 I/O 接触点，提升连接密度同时降低生产成本.22 2.3、多芯片封装：高密度系统式集成.25 2.3.1、2.5D/3D 封装：立体式堆叠，主要应用于高端集成度产品.25 2.3.2、Chiplet 封装：模块化设计，构建高集成芯片.28 3、国产替代叠加下游驱动，半导体封装国产率加速渗透.29

3、 3.1、美国管制先进芯片及设备出口，先进封装本土化势在必行.29 3.2、AI、HPC、5G 和 IoT 等应用，拉动先进封装需求.30 3.3、国产中道设备具备市场竞争力，后道封装设备国产化率有望加速.32 4、国内先进封装产业链受益标的.36 图表目录图表目录 图 1：封测为半导体产业链后道环节.5 图 2：半导体封装技术发展历程图.6 图 3：IC 制程节点升级，芯片设计成本大幅上升.7 图 4：5nm 逻辑工艺制程设备投资额约为 28nm 的 4 倍.7 图 5：集成电路先进封装成为芯片性能提升的重要手段.7 图 6：封装主要分为传统与先进封装技术.8 图 7：2022-2028 年

4、 Yole 预计全球封测市场规模 CAGR 达 7.1%.8 图 8：2028 年 Yole 预计全球先进封装市场规模达 786 亿美元.8 图 9：据 Yole 预计，2022 年开始全球先进封装营收占比逐年提升.9 图 10：据 Yole 预计，2022-2028 年先进封装工艺中倒装（Flip-Chip）营收占比最高.9 图 11：据中国半导体行业协会预计，2022-2026 年中国封测市场增长 CAGR2.1%.9 图 12：据 JW Insights 预计。2023 年中国大陆先进封装占比 39%.9 图 13：2022 年封测代工厂主导先进封装市场规模.10 图 14：2022 年

5、全球先进封装 CR3 厂商规模占比约 50%.10 图 15：先进封装的 I/O 间距越小，其连接密度越高.10 图 16：各类型先进封装主要包含 bumping、RDL、TSV 及键合等互连工艺.11 gZdYrUjUMBdYlV8ZwUmOoMnP8O8Q9PnPpPmOtPiNrRpOlOsQtR7NnMnMuOsOpQvPqRvN 图 17：凸块（bumping）工艺流程主要分为 8 个步骤.13 图 18：Bump 尺寸与间距随着技术提高，逐步缩小.14 图 19：重布线层（RDL）将 I/O 重新分配到芯片边缘.14 图 20：重布线层（RDL）关键工序流程主要由十个步骤组成.15

6、 图 21：FAN IN 和 FAN OUT 型 RDL 工艺.15 图 22：RDL 在台积电 InFO_OS 技术中为核心关键.15 图 23：TSV（硅通孔）工艺将多层平面进行堆叠互连.16 图 24：TSV 中介转接层加工工艺主要由 12 个工艺流程组成.17 图 25：低深宽比 TSV 图像传感器封装工艺主要包含十个工艺流程.17 图 26：TSV 制造成本结构（Via-Middle 方案）中临时键合/解键合占比最高，为 17%.18 图 27：TSV 制造成本构成（Via-Last 方案）中铜电镀占比最高，为 18%.18 图 28：混合键合显著提升键合技术性能.18 图 29：H